EPC annonce un FET GaN 100 V avec la plus faible résistance à l’état passant du marché
Le transistor à effet de champ référencé EPC2361 est présenté par le Californien comme le FET GaN...
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Posté par Pascal Coutance | 5 Mar 2024 | COMPOSANT, INDUSTRIEL/ÉNERGIE, TECHNO
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