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Diodes TVS multi-bits pour protéger les interfaces haut-débit des dispositifs mobiles | Toshiba

Diodes TVS multi-bits pour protéger les interfaces haut-débit des dispositifs mobiles | Toshiba

Toshiba Electronics Europe (TEE) annonce le lancement de nouvelles diodes TVS (Transient Voltage Suppressor, ou suppresseur de tension transitoire) multi-bits, pour protéger les interfaces haut-débit des décharges électrostatiques (ESD) et des pointes de tension.

La nouvelle gamme comprend quatre produits, les DF5G5M4N, DF5G6M4N, DF6D5M4N et DF6D6M4N. Tous sont capables de protéger différentes interfaces haut-débit, notamment USB Type-C et HDMI.

Les appareils électroniques comme les smartphones, les dispositifs wearables, les tablettes et les PC, ou les équipements industriels et bureautiques, offrent des fonctions avancées hautes-performances et ne cessent de se miniaturiser. Par conséquent, les semiconducteurs présents dans ces dispositifs doivent offrir toujours plus de performances, tout en poursuivant leur miniaturisation.

Ces semiconducteurs sont donc de plus en plus sensibles aux décharges électrostatiques et aux pics de tension, ce qui rend les circuits de protection indispensables. Les ports USB type-C, les ports HDMI et autres interfaces rapides, ainsi que certains produits à faible capacitance, sont nécessaires pour éviter la distorsion des signaux de transmission.

Les nouvelles diodes TVS offrent une protection supérieure, avec une résistance dynamique et une tension de verrouillage inférieures. Elles sont logées dans de petits boîtiers LGA (DFN5 [1,3 x 0,8 mm] pour les versions 4 bits, ou DFN6 [1,25 x 1,0 mm] pour les versions 2 bits, en version « flow-through ». Ceci facilite l’implantation de la carte puisque le boîtier peut être placé directement sur les lignes de bus haut-débit. La conception « flow-through » associée à la faible capacité typique de 0,2 pF de ces diodes, minimisent aussi la distorsion du signal des interfaces haut-débit.

Ces diodes TVS sont produites grâce au processus propriétaire EAP-IV (ESD Array Process IV) de Toshiba, qui offre une résistance dynamique inférieure de 20% par rapport au produit 4 bits DF5G7M2N actuel, tout en améliorant la protection globale grâce à une meilleure immunité aux ESD et à un moindre impact des pics de tension sur les dispositifs aval.

Cette nouvelle gamme de diodes TVS comprend notamment des produits 4 bits (DF5G5M4N, DF5G6M4N) et 2 bits (DF6D5M4N, DF6D6M4N) pour les lignes de signaux 3,3V et 5,0V, permettant aux utilisateurs de choisir un produit adapté à la tension d’interface de leur système.

Fabricant : Toshiba

Référence : DF5G5M4N, DF5G6M4N, DF6D5M4N et DF6D6M4N

 

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