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Les modules de puissance en SiC ciblent la recharge rapide des véhicules électriques

Les modules de puissance en SiC ciblent la recharge rapide des véhicules électriques

ON Semiconductor profitera de la prochaine manifestation Apec pour dévoiler des modules de puissance 1200 V en technologie carbure de silicium aptes à répondre aux exigences de la recharge rapide des véhicules électriques.

A l’heure où les ventes de véhicules électriques connaissent une forte croissance, le besoin d’un déploiement de bornes de recharge rapide se fait clairement sentir de la part des usagers. Et pour accompagner cette demande, les solutions exigeant des niveaux de puissance au delà de 350 kW  avec des rendements de 95% deviennent progressivement la norme.

C’est pour adresser ce marché où compacité, robustesse et fiabilité ne font l’objet d’aucun compromis que ON Semiconductor profitera de la manifestation Apec, qui se déroulera la semaine prochaine en distanciel, pour présenter deux modules de puissance 1200 V à base de transistors Mosfet en carbure de silicium (SiC).

Le fabricant les décline en deux modèles en configuration demi pont, une version 10 mΩ en boîtier press-fit F1 référencée NXH010P120MNF1 et une version 6 mΩ en boîtier press-fit F2 référencée NXH006P120MNF2. L’emploi de la technologie press-fit de broches à insertion en force trouve sa justification dans le fait qu’elle est compatible avec les environnements industriels et rempli le cahier des charges de l’application visée ici en termes de solidité et de fiabilité. Et c’est aussi ces considérations qui ont mené ON Semiconductor à intégrer dans ses modules de puissance une thermistance à coefficient de température négatif (NTC) pour la surveillance de leur température de fonctionnement.

 

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