Première mémoire flash embarquée de 512 Go | Samsung
Samsung Electronics a annoncé aujourd’hui le lancement de la production en série de première solution eUFS (embedded Universal Flash Storage) de 512 Go destinée à la prochaine génération d’appareils mobiles. Basé sur les dernières puces V-NAND à 64 couches et 512 Gbits de Samsung, le nouveau boîtier eUFS de 512 Go offre une capacité de stockage inégalée.
Composée de huit puces V-NAND à 64 couches et 512 Gbits, ainsi que d’une puce contrôleur, toutes empilées, la nouvelle UFS de 512 Go de Samsung a une densité deux fois supérieure à celle de l’eUFS V-NAND à 48 couches et 256 Go précédente de Samsung, tout en occupant le même espace que le boîtier 256 Go.
Pour optimiser les performances et l’efficacité énergétique des nouvelles mémoires eUFS de 512 Go, elles intègrent un nouvel ensemble de technologies propriétaires Samsung. La conception avancée du circuit V-NAND à 64 couches et 512 Gb et la nouvelle technologie de gestion de l’alimentation du contrôleur de l’eUFS 512 Go minimisent l’augmentation inévitable de la consommation énergétique, ce qui est particulièrement remarquable puisque la nouvelle solution eUFS 512 Go contient deux fois plus de cellules que l’eUFS 256 Go. En outre, le contrôleur de l’eUFS 512 Go accélère le processus de mappage pour convertir les adresses de blocs logiques en celles de blocs physiques.
L’eUFS 512 Go de Samsung offre également de bonnes performances en lecture et en écriture. Grâce à ses vitesses de lecture et d’écriture séquentielles atteignant respectivement 860 mégaoctets par seconde (Mo/s) et 255 Mo/s, la mémoire intégrée de 512 Go peut transférer un clip vidéo full HD de 5 Go en SSD en six secondes environ, soit huit fois plus vite qu’une carte microSD courante.
Pour la lecture et l’écriture aléatoires, la nouvelle eUFS atteint respectivement 42 000 IOPS et 40 000 IOPS. Grâce à la grande vitesse d’écriture aléatoire de l’eUFS, qui est environ 400 fois supérieure aux 100 IOPS d’une carte microSD conventionnelle, les utilisateurs mobiles peuvent profiter d’expériences multimédias fluides telles que la prise de vue haute résolution en rafale, ainsi que la recherche de fichiers et le téléchargement de vidéos en mode multifenêtrage.
Dans le même registre, Samsung envisage d’augmenter régulièrement un volume de production agressif pour ses puces V-NAND à 64 couches et 512 Gb, tout comme sa production de V-NAND 256 Gb. Tout ceci pour répondre à l’augmentation de la demande en matière de stockage mobile embarqué avancé, ainsi que de SSD de qualité supérieure et de cartes mémoire amovibles haute densité et hautes performances.
