Sélectionner une page

Catégorie : COMPOSANT

Renesas miniaturise le GaN 650 V

Le fabricant japonais lance un transistor GaN 650 V dans un boîtier de 8×8 mm refroidi sur les deux faces. Destiné aux alimentations 800 V des centres de données d’IA, il combine une résistance à l’état passant de 20 mΩ et un encombrement réduit de 57% par rapport à un modèle en boîtier TOLT de référence.

Chargement

INSCRIPTION NEWSLETTER

La vision de Miin WU, CEO de Macronix, sur l’industrie des mémoires

REJOIGNEZ-NOUS

Newsletters par date

novembre 2026
L M M J V S D
 1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
30  

ALLEZ A L'ESSENTIEL !

Recevez notre newsletter par email  

You have Successfully Subscribed!

Pin It on Pinterest