Avec le TMCS2100-Q1, Texas Instruments introduit un capteur de courant à effet Hall multiaxial sans noyau, annoncé comme le premier du secteur. Sa mesure simultanée sur deux axes offre jusqu’à 20 fois plus de précision que les solutions sans noyau à axe unique, tout en favorisant des onduleurs plus compacts et efficaces.
Cette avancée importante étend le champ d’application du GaN aux plages de tension traditionnellement couvertes par le SiC, offrant ainsi une alternative haute fréquence convaincante pour des applications telles que les centres de données d’IA, les véhicules électriques et les infrastructures HVDC.
Présenté comme unique sur le marché, ce circuit combine un accélérateur matériel pour cryptographie post-quantique (PQC), ainsi que des fonctions NFC, d’élément sécurisé et d’eSIM, préparant ainsi les smartphones et les objets connectés aux futures exigences de sécurité qui deviendront obligatoires vers 2030.
Le capteur à effet Hall référencé MLX91229 mesure de 200 à 2000 A et dispose d’une sortie sigma-delta numérique conçue pour résister aux fortes interférences électromagnétiques des onduleurs de traction haute puissance.
Avec GaNEXUS, onsemi enrichit son offre de composants de puissance en nitrure de gallium afin d’améliorer l’efficacité énergétique, la densité de puissance et les performances thermiques des centres de données IA, des infrastructures énergétiques, de la robotique et de l’automatisation industrielle.
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