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Catégorie : ACCORD

L’Europe et les USA s’accordent pour éviter la course aux subventions dans les semiconducteurs

Le 31 mai s’est tenue la quatrième réunion ministérielle du Conseil du commerce et des technologies UE-États-Unis (CCT) entre l’Union européenne et les États-Unis, à Luleå (Suède). Lors de cette réunion ministérielle, l’UE et les États-Unis se sont mis d’accord sur une liste de points essentiels pour faire progresser la coopération transatlantique dans les domaines des technologies émergentes, avec des avancées dans la coopération en semiconducteurs.

Vitesco sécurise une capacité d’approvisionnement en SiC d’une valeur de 1,75 milliard d’euros auprès d’Onsemi

L’équipementier automobile allemand Vitesco Technologies, issu du groupe Continental dont il est séparé depuis 2021, et le fabricant de semiconducteurs américain Onsemi ont annoncé un accord d’approvisionnement à long terme de 10 ans d’une valeur de 1,9 milliard de dollars (1,75 milliard d’euros) pour des produits en carbure de silicium (SiC).

MediaTek s’associe à Nvidia pour transformer les automobiles avec l’IA et le calcul accéléré

Le fournisseur de semiconducteurs taïwanais MediaTek, spécialiste des circuits de connectivité et multimédia, s’associe à l’Américain Nvidia pour développer dans l’automobile des solutions de cabine intelligentes, définies par logiciel et connectées destinées à toutes les véhicules, de l’entrée de gamme au haut de gamme, afin d’offrir aux conducteurs et aux passagers de nouvelles expériences à l’intérieur de la voiture.

Mitsubishi et Coherent s’allient pour une fabrication à grande échelle de circuits puissance SiC sur tranches de 200 mm

Mitsubishi Electric, qui va investir 1,5 milliard de dollars d’ici mars 2026 dans la filière SiC et l’Américain Coherent (anciennement II-VI Incorporated), un leader mondial des matériaux, des réseaux et des lasers, ont annoncé la signature d’un protocole d’accord (MOU) pour collaborer à un programme de fabrication à grande échelle de semiconducteurs de puissance en carbure de silicium sur une plateforme technologique en 200 mm.

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