Le fabricant japonais lance un transistor GaN 650 V dans un boîtier de 8×8 mm refroidi sur les deux faces. Destiné aux alimentations 800 V des centres de données d’IA, il combine une résistance à l’état passant de 20 mΩ et un encombrement réduit de 57% par rapport à un modèle en boîtier TOLT de référence.
Le groupe franco-italien va proposer à ses actionnaires le renouvellement de Jean-Marc Chéry en tant que président du directoire et directeur général, pour un année supplémentaire.
Avec l’université de Tohoku, Kyocera a mis au point un procédé de recuit au laser inédit qui permet d’intégrer un isolateur optique directement sur une puce photonique en silicium, et ainsi de réduire d’environ 95% la lumière rétrodiffusée dans les circuits optiques co-packagés (CPO) dédiés aux centres de données d’IA.
Fruit d’un investissement de 1,1 milliard d’euros, Sprint, l’extension de l’usine allemande de GlobalFoundries (GF), permettra au site de Dresde de devenir la plus grande fonderie d’Europe à l’horizon 2028. GF annonce qu’il y mettra en place FDX Fusion, sa plateforme SOI de nouvelle génération pour l’IA physique.
L’Allemand fournira ses composants en carbure de silicium à Eaton pour sa plateforme de transformateurs statiques moyenne tension MVSST 2.0, conçue pour les architectures 800 VDC des centres de données d’IA.
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