Cofidur qualifie une crème à braser basse température
Le sous-traitant affirme avoir qualifié une crème à braser dont la température de fusion est réduite à 138°C, au lieu de 217°C pour les crèmes à braser standard.
Catégorie : PRODUCTION
X-Fab lance la seconde génération de son procédé SiC pour les Mosfet de puissance
Cette plateforme permet d’accroître le nombre de puces par tranche et d’améliorer la résistance à l’état passant des Mosfet SiC planaires, le tout sans compromettre la fiabilité de fabrication.
Le CEA Leti planche sur la réduction du coût des transistors GaN pour applications RF
Le centre de R&D a développé un procédé de croissance du GaN sur tranche de silicium de 200, voire 300 mm de diamètre, moins onéreux que le procédé GaN sur substrat SiC conventionnel, mais quasiment aussi performant jusqu’à 30 GHz et plus.
Un podium 100% asiatique à la finale mondiale du concours de brasage manuel de l’IPC
Dans un final particulièrement relevé et serré, l’édition 2023 du concours mondial de brasage manuel qui s’est tenu à Productronica la semaine dernière a récompensé deux candidates chinoises et une candidate japonaise aux trois premières places. Deux Françaises se classent aux 4è et 6è rangs.
X-Fab ajoute l’option d’intégration Cmos à sa solution d’isolation galvanique
Utilisé depuis plusieurs années pour les coupleurs capacitifs ou inductifs, ce procédé de X-Fab peut désormais être utilisé pour apporter directement les éléments d’isolation galvanique aux circuits Cmos fabriqués à partir de sa technologie XA035.
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