Le Grenoblois et la fonderie chinoise spécialisée unissent leurs expertises pour industrialiser une technologie de substrats BCD-sur-SOI en tranches de 300 mm. Cette plateforme vise les besoins croissants en électronique de puissance des centres de données d’IA, des véhicules électriques, de la robotique et de l’industrie.
Pour la start-up grenobloise, cette levée de fonds servira à l’industrialisation de commutateurs de puissance dédiés aux disjoncteurs statiques à semi-conducteurs. Sa technologie promet une gestion de l’énergie plus rapide, plus intelligente et mieux adaptée aux besoins croissants des bâtiments et des centres de données d’IA.
La nouvelle mémoire HBM4E de SK hynix atteint 16 Gbit/s par broche avec une efficacité énergétique en hausse de 20%. Des échantillons ont déjà été expédiés à des clients clés.
Le Coréen a commencé à livrer les premiers échantillons de mémoires HBM4E à 12 couches du marché. Conçue pour les infrastructures d’IA de nouvelle génération, cette mémoire offre des débits jusqu’à 16 Gbit/s et une capacité atteignant 48 Go, avec des gains notables en performance et en efficacité énergétique.
Le circuit BQ79826Z-Q1 de Texas Instruments surveille, à lui seul, jusqu’à 26 cellules de batteries, un record, selon l’Américain, et intègre un moteur SIE (spectroscopie d’impédance électrochimique) pour détecter en temps réel les défaillances internes des cellules.
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