onsemi étoffe son offre en semiconducteurs GaN

Avec GaNEXUS, onsemi enrichit son offre de composants de puissance en nitrure de gallium afin d’améliorer l’efficacité énergétique, la densité de puissance et les performances thermiques des centres de données IA, des infrastructures énergétiques, de la robotique et de l’automatisation industrielle.

onsemi dévoile GaNEXUS, une nouvelle famille de transistors de puissance en nitrure de gallium (GaN) destinée aux applications les plus exigeantes en matière d’efficacité énergétique. La gamme comprend des transistors GaN FET couvrant des tensions de 40 V à 650 V, ainsi que les modèles GaNEXUS Smart 650 V, intégrant des fonctions de protection afin de simplifier la conception des systèmes et d’en renforcer la fiabilité.

Cette nouvelle offre complète les solutions d’électronique de puissance en silicium et en carbure de silicium EliteSiC d’onsemi, permettant aux concepteurs de sélectionner la technologie la plus adaptée en fonction des contraintes de performances, de rendement énergétique, de dissipation thermique, de taille des équipements et de coût global.

© onsemi

L’arrivée de GaNEXUS répond à la montée en puissance des besoins liés aux centres de données d’IA, à l’électrification des usages, aux systèmes industriels et aux infrastructures énergétiques. Grâce à des vitesses de commutation plus élevées et à des pertes de commutation réduites par rapport aux solutions traditionnelles en silicium, ces composants permettent de concevoir des alimentations plus compactes, plus performantes et plus efficaces. La réduction de la taille des composants magnétiques et des systèmes de refroidissement contribue également à diminuer les coûts d’exploitation, un enjeu essentiel pour les centres de données dont les besoins énergétiques continuent de croître.

Associée à la plateforme Treo d’onsemi, qui regroupe les fonctions de détection, de contrôle, de protection et de gestion de l’énergie, GaNEXUS permet de développer des solutions complètes au niveau système. Une approche qui facilite la conception, accélère les phases de développement et de qualification et améliore la robustesse des alimentations.

Dans les applications basse et moyenne tension, telles que les convertisseurs 48 V des serveurs IA, les systèmes de secours sur batterie ou les variateurs industriels, GaNEXUS permet d’obtenir des composants magnétiques jusqu’à 60 % plus compacts, une densité de puissance multipliée par 1,5 à 2 et un gain de rendement pouvant atteindre 2% selon les architectures.

Pour les applications haute tension, notamment les alimentations des centres de données IA, les convertisseurs DC-DC, les correcteurs de facteur de puissance (PFC) et les convertisseurs LLC, la technologie réduit jusqu’à 60% la taille des éléments magnétiques, améliore la densité de puissance d’un facteur pouvant atteindre deux et augmente le rendement de 0,5 à 1%, tout en limitant les contraintes thermiques.

Les composants GaNEXUS sont proposés dans plusieurs boîtiers optimisés pour le refroidissement, compatibles avec les empreintes standard de l’industrie, afin de faciliter leur intégration dans les nouvelles architectures d’alimentation.

Principales caractéristiques :

• Transistors GaN FET disponibles de 40 V à 650 V
• Version GaNEXUS Smart 650 V avec protections intégrées
• Vitesses de commutation nettement supérieures aux solutions silicium
• Réduction des pertes de commutation et amélioration des performances thermiques
• Densité de puissance 1,5 à 2 fois supérieure
• Composants magnétiques jusqu’à 60% plus compacts
• Gain de rendement pouvant atteindre 2% selon les applications
• Compatibilité avec la plateforme Treo d’onsemi pour une gestion complète de l’énergie
• Boîtiers optimisés pour le refroidissement (TOLL, TOLT et double refroidissement)
• Destiné aux centres de données IA, infrastructures énergétiques, robotique, automatisation industrielle, systèmes 48 V et recharge de véhicules électriques