Accord entre Cambridge GaN Devices et l’Itri autour des alimentations à base de GaN
L’accord concerne le développement de solutions hautes performances en nitrure de gallium dans la gamme 140 à 240 W, dédiées aux adaptateurs USB-PD.
Cambridge GaN Devices, société britannique fabless spécialisée dans les solutions à base de nitrure de gallium, vient de signer un protocole d’accord avec l’Itri, l’Institut de recherche en technologie industrielle de Taïwan, concernant le développement de solutions GaN hautes performances dédiées aux adaptateurs USB-PD.
© Cambridge GaN Devices
« Nous sommes ravis de nous associer à l’Itri, une organisation dotée d’une équipe de recherche en solutions d’alimentation très expérimentée et détentrice de nombreux brevets qui, combinés à notre architecture de circuits ICeGaN, permettront de développer des solutions associant taille réduite, rendement et densité de puissance élevés, ainsi qu’une compétitivité en termes de coûts », assure Andrea Bricconi, directeur commercial de Cambridge GaN Devices.
L’accord entre les deux partenaires couvre notamment le développement de solutions d’alimentation dans la gamme 140-240 W avec des densités de puissance supérieures à 1,83 W/cm³ (ou 30 W/pouce³) pour l’e-mobilité, les outils électriques, les ordinateurs portables et les smartphones.
