Amplificateur audio à sortie transistor
Toshiba Electronics Europe vient de lancer un transistor bipolaire miniature destiné aux étages de sortie à transistors des systèmes audio haute définition. Les nouveaux 2SA1943N et 2SC5200N fournissent le même son haute qualité que les 2SA1943 et 2SC5200, dans un boîtier TO-3P(N) qui ne fait que les trois quarts de la longueur et les trois quarts de la largeur du précédent boîtier TO-3P(L) afin de réduire l’encombrement. Cela offre davantage de souplesse aux concepteurs de produits, tout en conservant la même capacité de dissipation (Pc) de 150W.
Le transistor 2SA1943N présente une tension collecteur-émetteur maximum de VCEO de -230V et un courant collecteur continu nominal IC de -15A, tandis que le 2SC5200N offre une tension VCEO maximum de 230V et un IC de 15A.
Le transistor 2SA1943N offre un gain en courant DC minimum, hFE (1) de 80 (VCE = -5V et IC = -1A) et hFE (2) de 35 (VCE = -5V et IC = -7A), contre un hFE (1) of 80 (VCE = 5V and IC = 1A) and hFE (2) of 35 (VCE = 5V and IC = 7A) pour le modèle 2SC5200N. Un autre avantage est la linéarité élevée de hFE et aussi de VBE. Les deux dispositifs présentent une fréquence de transition typique (ft) de 30 MHz.
Ils sont tous deux conditionnés dans le nouveau boîtier TO-3P(N), qui mesure 15,9 x 40,5 x 4,8 mm.
Fabricant : Toshiba
Référence : 2SA1943N et 2SC5200N