Cambridge GaN Devices propose de tester facilement ses composants de puissance
Les cartes d’interface de la jeune société britannique permettent aux utilisateurs d’essayer facilement ses composants ICeGAN dans les conceptions existantes, en lieu et place des composants GaN de la concurrence, sans modification du circuit imprimé.
C’est une initiative particulièrement futée que propose aujourd’hui Cambridge GaN Devices (CGD), une jeune société fabless britannique spécialisée dans les circuits de puissance à base de nitrure de gallium. Soucieuse de se faire un nom dans un secteur, celui des semiconducteurs à grand gap, devenu très concurrentiel, l’entreprise créée en 2016 commercialise dès aujourd’hui des cartes d’interface permettant aux concepteurs d’essayer facilement ses composants GaN, en l’occurrence sa gamme ICeGaN de transistors à haute mobilité électronique (HEMT), dans des conceptions existantes, en lieu et place des composants Mosfet ou GaN des grands noms du secteur, et cela sans avoir à modifier le circuit imprimé. Chaque carte d’interface prend la forme d’un circuit imprimé adaptateur sur lequel est soudé un HEMT ICeGaN, et qui redirige chaque broche du composant de CGD vers les broches correspondantes du composant concurrent.
« Ces cartes d’interface ne sont bien sûr conçues que pour être utilisées à des fins de conception et d’évaluation, mais il s’agit d’une première étape rapide pour permettre à l’utilisateur d’intégrer l’un de nos composants ICeGaN », indique Peter Comiskey, directeur de l’ingénierie d’application chez CGD, qui assure par ailleurs qu’il y a « un impact mineur sur les performances thermiques, mais étonnamment peu de différence dans les performances CEM ou électriques. »
Pour l’heure, CGD propose des cartes d’interface compatibles avec le brochage de composants Mosfet ou GaN de sociétés telles que GaN Systems, Infineon, Innoscience et Navitas, mais est prêt à développer de nouvelles cartes d’interface adaptables à d’autres composants du marché, moyennant un délai de livraison de quatre semaines.