Composants de puissance en GaN : Cambridge GaN Devices lève 32 M$
La société britannique compte faire de sa technologie ICeGaN une alternative crédible aux composants SiC dans l’électronique de puissance appliquée aux véhicules électriques et aux datacenters.
Depuis sa création en 2016, Cambridge GaN Devices (CGD), une société fabless britannique issue de l’Université de Cambridge et spécialisée dans les circuits de puissance à base de nitrure de gallium (GaN), tente de construire un écosystème autour de ses composants ICeGaN pour la conversion de puissance haute tension.
A l’approche de la décennie d’existence, la levée de fonds à laquelle CGD vient de procéder, va incontestablement l’y aider. L’entreprise britannique annonce aujourd’hui même avoir clôturé avec succès un tour de table de série C de 32 millions de dollars auprès d’un investisseur stratégique, avec la participation de British Patient Capital et soutenu par les investisseurs existants Parkwalk, BGF, Cambridge Innovation Capital (CIC), Foresight Group et IQ Capital.
Ce financement permettra notamment à l’entreprise d’étendre ses opérations à Cambridge, mais aussi en Amérique du Nord, à Taïwan et en Europe.
Giorgia Longobardi et Florin Udrea (debout au 1er rang, au centre de la photo), cofondateurs de CGD, et toute l’équipe – © Cambridge GaN Devices
« Ce tour de table marque un moment décisif pour CGD car il valide notre technologie et notre vision de révolutionner l’industrie de l’électronique de puissance avec nos solutions GaN pour rendre possible une électronique de puissance durable, se félicite Giorgia Longobardi, CEO et cofondatrice de CGD. Nous sommes désormais en position d’accélérer notre croissance et d’avoir un impact significatif sur la réduction de la consommation d’énergie dans de nombreux secteurs. Nous sommes impatients de collaborer avec notre investisseur stratégique pour pénétrer le marché de l’automobile. »
Les composants GaN constituent une alternative de plus en plus prise en considération dans l’électronique de puissance grâce à des vitesses de commutation plus rapides, une consommation d’énergie plus faible et des conceptions plus compactes que les solutions traditionnelles à base de silicium. La technologie monolithique ICeGaN de CGD, censée simplifier la mise en œuvre du GaN dans des conceptions existantes et être compatible avec une production en grand volume, offre, selon le Britannique, des niveaux d’efficacité supérieurs à 99%, ce qui permet des économies d’énergie allant jusqu’à 50% dans une large gamme d’applications haute puissance, y compris dans les véhicules électriques et les datacenters.
Selon des données rapportées par CGD, le marché mondial des composants de puissance, toutes technologies confondues, devrait franchir la barre des 10 milliards de dollars à l’horizon 2029. A cette échéance, le marché des composants de puissance en GaN devrait atteindre, à lui seul, 2 Md$ grâce à un taux de croissance annuel moyen de 41%. Un marché en expansion rapide que compte adresser CGD avec sa technologie ICeGaN qu’il considère comme une alternative viable aux solutions existantes utilisant le carbure de silicium (SiC), en combinant haute efficacité énergétique, miniaturisation et fonctionnalités intelligentes intégrées de manière monolithique.
