Coopération entre Rohm et TSMC pour développer des composants GaN pour l’automobile
Alors que les solutions à base de carbure de silicium (SiC) se déploient dans les véhicules électriques, le Japonais et le Taïwanais estiment que l’électronique de puissance en base de nitrure de gallium (GaN) aura aussi sa place dans l’automobile.
Développer et produire en volume des solutions d’électronique de puissance à base de composants en nitrure de gallium (GaN) dans les applications automobiles, tel est l’objectif du nouveau partenariat technologique que viennent de signer Rohm et TSMC. Ce partenariat associera le savoir-faire du groupe japonais en matière d’électronique de puissance avec le procédé de fabrication GaN sur silicium du numéro un mondial de la fonderie de semiconducteurs, afin de répondre à la demande croissante de solutions de puissance aux performances supérieures à celles du silicium en matière de tension élevée et de haute fréquence, pour la réalisation de chargeurs embarqués et d’onduleurs pour véhicules électriques plus performants.
© Rohm / TSMC
Aujourd’hui, les modules de puissance à base de GaN sont surtout utilisés dans les applications grand public et industrielles telles que les alimentations de serveurs et les adaptateurs secteurs, à l’image du modèle 45 W à charge rapide “C4 Duo” produit par Innergie, une marque de Delta Electronics, et intégrant les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) 650 V de la série EcoGaN, déjà développés par Rohm en coopération avec TSMC.
« Avec ce partenariat, notre objectif est de promouvoir l’adoption du GaN dans l’industrie automobile. Les solutions de puissance à base de GaN, capables de fonctionner à haute fréquence, sont très attendues pour leur contribution à la miniaturisation et aux économies d’énergie, qui peuvent aider à aboutir à une société décarbonée. Des partenaires fiables sont essentiels pour mettre en œuvre ces innovations et nous sommes heureux de collaborer avec TSMC, qui possède une technologie de fabrication avancée de premier plan au niveau mondial », assure Katsumi Azuma, membre du conseil d’administration et directeur général de Rohm.
« En combinant les expertises de TSMC et de Rohm, nous nous efforçons de repousser les limites de la technologie GaN et de sa mise en œuvre dans les véhicules électriques », renchérit Chien-Hsin Lee, directeur principal du développement commercial des technologies spécifiques chez TSMC.
Avec ce partenariat, Rohm entend se placer en bonne position sur le créneau des solutions de puissance à base de GaN pour le véhicule électrique, lui qui est déjà bien présent sur le créneau de l’électronique de puissance automobile à base de carbure de silicium (SiC).
