Diodes à barrière Schottky à temps de recouvrement inverse amélioré

Pour pallier les limites des modèles à structure Trench-MOS classique, Rohm Semiconductor a développé la série YQ de diodes à barrière Schottky utilisant une structure Trench-MOS propriétaire. Elle réduit la tension directe (VF) et le courant direct (IR), d’où une perte de puissance plus faible en cas d’utilisation dans des applications de polarisation directe, tout en réduisant le risque d’emballement thermique.

Principales caractéristiques :

• Tension de claquage : 100 V
• Tension directe maximale : 0,64 à 0,7 V
• Courant direct maximum : 0,006 à 0,03 mA
• Temps de récupération inverse : 15 ns
• Perte de temps de récupération inverse et de commutation réduites d’environ 37 % et 26 %
• Amélioration des tension VF et courant IR de respectivement 7 % et 82 %
• Boîtier PMDE, TO-252 ou TO-277GE
• Applications : alimentation électrique et circuits de protection, circuits d’entraînement pour les phares Led d’automobiles, convertisseurs DC-DC de véhicules électriques…

Fabricant : Rohm Semiconductor

Référence produit : YQ