GaN haute puissance : Power Integrations acquiert Odyssey Semiconductor
Ce rachat va permettre à Power Integrations de soutenir sa feuille de route concernant le développement de sa technologie d’électronique haute tension et haute puissance à base de nitrure de gallium.
Le Californien Power Integrations, spécialiste des circuits intégrés haute tension dédiés à la conversion d’énergie, annonce la signature d’un accord en vue d’acquérir les actifs de son compatriote Odyssey Semiconductor Technologies, un développeur de transistors GaN. La transaction, dont le montant n’a pas été dévoilé, devrait être finalisée en juillet 2024, une fois que tous les employés clés d’Odyssey auront rejoint les locaux de Power Integrations.
Cette acquisition se veut stratégique car elle va permettre à Power Integrations de soutenir sa feuille de route concernant le développement sa technologie d’électronique haute puissance et haute tension à base de nitrure de gallium baptisée PowiGaN et qui comprend notamment les circuits intégrés InnoSwitch, les circuits de correction du facteur de puissance HiperPFS-5 et la famille de circuits InnoMux-2 (photo) récemment lancée. La société avait notamment marqué les esprits en 2023 en lançant des versions 900 et 1250 volts de ses circuits PowiGaN.
© Power Integrations
« Power Integrations est à l’avant-garde du développement et de la commercialisation de solutions GaN depuis que nous avons commencé à expédier les premiers produits intégrant la technologie PowiGaN en 2018, souligne Radu Barsan, vice-président de la technologie de Power Integrations. Nous exécutons une feuille de route ambitieuse qui comprend notamment une réduction des coûts, une parité avec les Mosfet silicium et un élargissement des capacités de tenue en tension et en puissance de nos solutions PowiGaN. Notre objectif est de commercialiser une technologie GaN à courant élevé et à haute tension rentable pour prendre en charge les applications à plus forte puissance – actuellement servies par le carbure de silicium (SiC) – à un coût bien inférieur et avec des performances plus élevées grâce aux avantages fondamentaux du GaN par rapport au SiC. L’expérience de l’équipe Odyssey dans le domaine du GaN à courant élevé nous permettra d’accélérer ces efforts pour atteindre nos objectifs. »
