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GlobalFoundries acquiert la propriété intellectuelle de Tagore Technology en GaN

GlobalFoundries acquiert la propriété intellectuelle de Tagore Technology en GaN

En plus de la propriété intellectuelle de Tagore en matière de semiconducteurs GaN sur silicium (GaN-on-Si), une équipe d’ingénieurs spécialisés rejoindra GF. Cette équipe est issue des centres de conception que Tagore possède aux États-Unis mais aussi en Inde.


Le fondeur GlobalFoundries (GF) a annoncé en début de semaine l’acquisition de la propriété intellectuelle de Tagore Technology, une société fabless fondée en 2011, basée à Chicago et spécialisée dans les semiconducteurs en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) pour les applications radiofréquences et de gestion de l’énergie.

Dans le cadre de cette acquisition, dont le montant n’a pas été dévoilé, une équipe d’ingénieurs expérimentés de Tagore rejoindra GF. Ces ingénieurs spécialistes de la technologie GaN-on-Si sont issus des centres de conception que Tagore possède à Arlington Heights, dans l’Illinois (États-Unis), mais aussi à Calcutta, en Inde.

© Tagore Technology

Cette annonce renforce l’engagement de GF en faveur de la fabrication à grande échelle de la technologie GaN qui offre une série d’avantages, en particulier dans la conception des centres de données de prochaine génération, en termes d’efficacité énergétique, de gestion thermique et de coût.

« Alors que le monde numérique continue d’évoluer avec des technologies telles que l’IA générative, le GaN s’impose comme une solution essentielle pour une gestion durable et efficace de l’énergie, en particulier dans les centres de données, souligne Niels Anderskouv, directeur commercial de GF. Avec cette acquisition, nous franchissons une nouvelle étape vers l’accélération de la disponibilité du GaN qui permettra à nos clients de créer la prochaine génération de solutions de gestion de l’énergie qui remodèleront l’avenir de la mobilité, de la connectivité et de l’intelligence. »

Rappelons qu’en février 2024, GF a reçu 1,5 milliard de dollars de financement direct au titre de la loi américaine Chips and Science Act et qu’une partie de cet investissement est destinée à la fabrication en grand volume de technologies critiques, telles que le GaN.

En combinant cette capacité de fabrication et le savoir-faire technique de l’équipe Tagore, GF compte bien transformer l’efficacité des systèmes d’IA – en particulier dans les appareils de pointe ou l’IoT pour lesquels une réduction de la consommation d’énergie est essentielle – et proposer rapidement des solutions différenciées.

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