Globalfoundries renonce au développement de la technologie FinFET à 7nm
Globalfoundries a créé la surprise en annonçant hier qu’il renonçait à la course aux technologies FinFET de plus en plus fines, afin de « se concentrer davantage sur la fourniture d’opérations réellement différenciées pour les clients des marchés à forte croissance ». GF réaligne ainsi sa feuille de route FinFET en abandonnant le développement de la technologie 7 nm, laissant notamment le champ libre à TSMC et Samsung.
Le fondeur estime pouvoir réorienter ses ressources de développement pour rendre sa plate-forme FinFET 14/12nm plus pertinente pour ces clients, en proposant une gamme de fonctionnalités et de blocs IP innovants, notamment en RF, mémoire intégrée et faible consommation. Pour accompagner cette transition, GF met indéfiniment en suspens son programme FinFET à 7nm et restructure ses équipes de recherche et développement. Cela va conduire à une réduction de l’effectif, même si un nombre important de technologues de haut niveau seront redéployés sur des produits dérivés FinFET à 14/12 nm et d’autres offres différenciées.
« La grande majorité des clients fabless d’aujourd’hui cherchent à tirer le meilleur parti de chaque génération de technologie pour optimiser les investissements substantiels nécessaires à la conception de chaque nœud technologique. Essentiellement, ces nœuds sont en train de passer à la conception de plateformes à plusieurs vagues d’applications, donnant à chaque nœud une plus grande longévité. Cette dynamique industrielle a eu pour effet de réduire le nombre de clients fabless qui tentent de repousser les limites de la loi de Moore. Nous déplaçons nos ressources et nous concentrons nos efforts en doublant nos investissements dans des technologies différenciées sur l’ensemble de notre portefeuille, qui sont les plus pertinents pour nos clients dans des segments de marché en croissance », justifie Tom Caulfield, nommé CEO de Globalfoundries en début d’année.
En outre, pour mieux tirer parti de ses investissements importants dans la conception de blocs d’IP et d’Asic, la société établit son activité Asic en tant que filiale à part entière, indépendante de ses activités de fonderie. Cette entité ASIC indépendante fournira aux clients l’accès à des options de fonderie alternatives au 7 nm et au-delà.
GF va intensifier ses investissements dans des domaines où sa différenciation est nette et apporte une réelle valeur ajoutée aux clients. Cela inclut une concentration accentuée sur sa plateforme FDX en technologie FD-SOI, des offres RF (y compris RF-SOI et SiGe), des signaux analogiques/mixtes et d’autres technologies conçues pour un nombre croissant d’applications nécessitant une faible consommation, une connectivité en temps réel et une intelligence embarquée. GF estime occuper une position unique pour servir ce marché en pleine expansion de «l’intelligence connectée», avec une forte demande dans de nouveaux domaines tels que la conduite autonome, l’IoT et la transition mondiale vers la 5G. En juillet, Le fondeur avait révélé que plus de 50 clients faisaient appel à sa technologie FD-SOI 22 nm pour la fabrication de leurs circuits, représentant un montant cumulé de commandes de plus de 2 milliards de dollars.
« Globalfoundries va réaliser des investissements plus ciblés dans des technologies qui comptent vraiment pour la majorité des concepteurs de puces sur des marchés à croissance rapide tels que la RF, l’IoT, la 5G, l’industriel et l’automobile », a déclaré Samuel Wang, vice-président de recherche chez Gartner. « De moins en moins de clients peuvent se permettre la transition vers des géométries 7 nm et plus fines. Les technologies de 14 nm et plus continueront d’être, pendant de nombreuses années, le moteur de la demande pour les fondeurs. L’innovation sur ces nœuds est considérable pour alimenter la prochaine vague de technologies », assure l’analyste.
