Infineon l’affirme : sa production de puces GaN sur tranches de 300 mm est en bonne voie
Le fabricant allemand prévoit de fournir à ses clients les premiers échantillons de puces GaN de puissance à partir du quatrième trimestre 2025, avec l’ambition de se rapprocher progressivement des coûts de production des composants en silicium.
En septembre 2024, Infineon annonçait avoir réussi à développer la première technologie de tranches de nitrure de gallium (GaN) en diamètre 300 mm au monde et à en maîtriser la production dans un environnement de fabrication à haut volume existant et évolutif. Aujourd’hui, le fabricant allemand annonce que la mise en production de ses puces GaN de puissance à partir de tranches de 300 mm est en bonne voie, précisant qu’il sera capable d’en fournir les premiers échantillons à ses clients à partir du quatrième trimestre 2025.
© Infineon Technologies
En passant du 200 mm au 300 mm, Infineon peut fabriquer 2,3 fois plus de puces par tranche et potentiellement réduire de manière significative le coût de production des composants de puissance à base de nitrure de gallium, et ainsi dynamiser considérablement le marché des semiconducteurs GaN de puissance dans les applications industrielles, automobiles, grand public, informatiques et de communication (alimentations pour systèmes d’IA, onduleurs solaires, chargeurs et adaptateurs, systèmes de contrôle moteur, etc.).
« Notre capacité de production de puces GaN en 300 mm à grande échelle nous permettra d’offrir encore plus rapidement à nos clients une plus grande valeur ajoutée, tout en s’approchant des coûts de production des puces en silicium, assure Johannes Schoiswohl, responsable de la branche GaN chez Infineon. Près d’un an après l’annonce de la percée d’Infineon dans la technologie des tranches GaN de 300 mm, nous renforçons ainsi notre modèle IDM (Integrated Design Management) en maîtrisant l’intégralité du processus de production des semiconducteurs, de la conception à la commercialisation du produit final. »
Pour Infineon, qui maîtrise désormais en interne la fabrication de puces de puissance en silicium, carbure de silicium et nitrure de gallium, le modèle IDM est un gage de qualité élevée, de mise sur le marché plus rapide et de flexibilité de conception et de développement supérieure, tout en étant capable d’adapter ses capacités pour répondre aux besoins de ses clients.
Selon le dernier rapport de Yole Group, le marché mondial des puces GaN de puissance devrait augmenter en moyenne de 36% par an pour atteindre environ 2,5 milliards de dollars d’ici 2030.
