Kioxia et Sandisk dévoilent une technologie de mémoire flash 3D atteignant une vitesse d’interface NAND de 4,8 Gbit/s
Les deux partenaires mémoires Kioxia et Sandisk ont mis au point une technologie de pointe pour les mémoires flash 3D, établissant une référence dans l’industrie avec une vitesse d’interface NAND de 4,8 Gbit/s, une efficacité énergétique supérieure et une densité accrue.
Dévoilée à l’ISSCC 2025, cette innovation en matière de mémoire flash 3D, associée à la technologie CBA (CMOS directement lié à la matrice) des deux sociétés, intègre l’une des dernières normes d’interface, Toggle DDR6.0 pour la mémoire flash NAND, et exploite le protocole SCA (Separate Command Address), une nouvelle méthode d’entrée d’adresse de commande de son interface, et la technologie PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination), qui contribue à réduire davantage la consommation d’énergie.
Grâce à cette technologie unique à grande vitesse, les deux entreprises prévoient que la nouvelle mémoire flash 3D permettra d’améliorer de 33% la vitesse de l’interface NAND par rapport à la mémoire flash 3D de 8e génération actuellement produite en masse, pour atteindre une vitesse d’interface de 4,8 Gbit/s. La technologie peut également améliorer l’efficacité énergétique de l’entrée/sortie des données, en réduisant la consommation d’énergie de 10% pour l’entrée et de 34% pour la sortie, ce qui permet d’obtenir un équilibre entre hautes performances et faible consommation d’énergie. Présentant en avant-première la mémoire flash 3D de 10e génération, les deux sociétés ont expliqué qu’en augmentant le nombre de couches de mémoire à 332 et en optimisant l’aménagement pour une densité planaire accrue, la technologie améliore la densité des bits de 59%.
« Avec la prolifération des technologies de l’IA, la quantité de données générées devrait augmenter de manière significative, de même que la nécessité d’améliorer l’efficacité énergétique dans les centres de données modernes. Kioxia est convaincu que cette nouvelle technologie permettra d’obtenir des produits de plus grande capacité, de plus grande vitesse et de plus faible consommation d’énergie, y compris des disques SSD pour les futures solutions de stockage, et qu’elle jettera les bases du développement de l’IA », déclare Hideshi Miyajima, directeur de la technologie chez Kioxia.
« À mesure que l’IA progresse, les besoins des clients en matière de mémoire deviennent de plus en plus diversifiés. Grâce à notre innovation technologique CBA, nous visons à lancer des produits qui offrent la meilleure combinaison en termes de capacité, de vitesse, de performance et d’efficacité du capital pour répondre aux besoins de nos clients dans tous les segments du marché », renchérit Alper Ilkbahar, vice-président principal de la stratégie mondiale et de la technologie chez Sandisk.
Kioxia et Sandisk ont également fait part de leurs projets concernant la prochaine mémoire flash 3D de 9e génération. Grâce à leur technologie CBA unique, les entreprises peuvent combiner la nouvelle technologie CMOS avec une technologie de cellule de mémoire existante pour fournir des produits à faible consommation d’énergie, à haute performance et à faible coût d’investissement.
