Les Mosfet SiC 1200 V de Toshiba passent aussi à la troisième génération
Grands frères des modèles 650 V lancés il y a seulement quelques jours, les Mosfet SiC 1200 V du Japonais se déclinent eux aussi en cinq modèles différents.
Tout juste après avoir lancé sa troisième génération de Mosfet 650 V en carbure de silicium, Toshiba remet le couvert avec des Mosfet SiC 1200 V eux aussi de troisième génération. Tout comme leurs petits frères, les modèles de 1200 V affichent un facteur de mérite amélioré de 80% par rapport aux modèles classiques, pour de meilleures performances de commutation, et sont équipés d’une diode à barrière Schottky (SBD) dont le rôle consiste à s’opposer aux effets parasites internes afin de maintenir une Rds(on) stable et ainsi améliorer la fiabilité de l’ensemble.
Offrant une plage de tension grille-source assez large (de -10 V à +25 V), ces Mosfet se déclinent en 5 modèles référencés TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C et TW140N120C. Tous logés en boîtier TO-247, ces composants présentent des valeurs de Rds(on) allant de 15 mΩ à 140 mΩ (en valeur typique pour Vgs = 18 V) et des courants de drain de 20 A à 100 A.
Les composants de Toshiba trouveront leur place dans les stations de recharge de véhicules électriques, les onduleurs photovoltaïques, les alimentations industrielles, les alimentations sans coupure (UPS) et les convertisseurs DC-DC bidirectionnels ou demi-pont.
