Rohm va tripler sa capacité de production de substrats SiC en Allemagne
SiCrystal, filiale du Japonais basée à Nuremberg, lance les travaux d’une nouvelle usine qui lui permettra de tripler sa capacité de production de substrats SiC d’ici 2027.
Afin de faire face à la forte demande dans les secteurs de l’électromobilité et des énergies renouvelables (photovoltaïque, éolien), SiCrystal, une filiale du Japonais Rohm basée à Nuremberg et spécialisée dans la production de substrats SiC, a lancé ce jour les travaux d’une nouvelle usine qui lui permettra de tripler sa capacité de production à l’horizon 2027, par rapport à celle dont l’entreprise dispose aujourd’hui.
© SiCrystal
Situé juste en face de l’usine existante, au nord-est de Nuremberg, le nouveau bâtiment offrira 6000 mètres carrés supplémentaires d’espace de production et sera équipé d’une technologie de pointe pour optimiser au mieux la production de tranches de carbure de silicium. La proximité de l’usine existante garantira par ailleurs une intégration étroite des procédés de production.
« Le nouvel espace augmentera considérablement notre capacité de production de substrats SiC et renforcera notre position sur le marché », s’est félicité Erwin Schmitt, directeur des opérations de SiCrystal, lors de la cérémonie de lancement des travaux.
L’usine devrait être achevée début 2026 et déboucher sur la création d’une centaine d’emplois d’ici la fin de l’exercice 2027/28.
Rappelons qu’en avril dernier, SiCrystal avait étendu de manière importante son accord pluriannuel avec STMicroelectronics portant sur la fourniture de substrats SiC en tranches 150 mm.
