X-Fab propose désormais des services de fonderie GaN sur silicuim
Le service de fonderie GaN-on-Si proposé par X-Fab a été développé dans son usine de Dresde, en Allemagne, l’une des six unités de production exploitées par le groupe européen dans le monde, et exploite des tranches de 8 pouces.
Le fondeur européen de composants analogiques et mixtes X-Fab Silicon Foundries enrichit son offre en introduisant des services de fonderie en technologie nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) pour les dispositifs dMode (depletion Mode) dans le cadre de sa plateforme technologique ouverte XG035. Ce nouveau service renforce la position du groupe dans le domaine des semiconducteurs à grand gap dédiés à l’électronique de puissance, qui s’ajoute ainsi à sa plateforme dédiée aux semiconducteurs en carbure de silicium (SiC).
© X-Fab
Le service de fonderie GaN-on-Si proposé par X-Fab a été développé dans son usine de Dresde, en Allemagne, l’une des six unités de production exploitées par le groupe dans le monde, et exploite des tranches de 8 pouces (200 mm). L’usine de Dresde, présentée comme une unité de production de pointe, abrite une large gamme d’équipements de traitement spécialisés, d’outils de mesure et de technologies optimisés pour le développement et la production de GaN, ainsi que de circuits Cmos analogiques, dans un environnement de fabrication qualifié pour l’automobile. Les outils sur site ont notamment été optimisés pour traiter des tranches GaN-on-Si plus épaisses, requises par les clients de secteurs tels que l’automobile, les centres de données, l’industrie, les énergies renouvelables et le médical.
Les services de fonderie GaN-on-Si pour les composants dMode inclut notamment la fabrication de transistors HEMT (High Electron Mobility Transistors) de 100 V à 650 V, souvent utilisés dans les applications de conversion d’énergie. De plus, X-Fab propose des technologies GaN spécifiques, notamment des HEMT dMode et eMode (enhancement Mode), ainsi que des diodes Schottky, adaptées aux applications de redressement haute fréquence, aux alimentations électriques et aux panneaux solaires, entre autres.
« Après avoir développé des technologies GaN spécifiques à nos clients pendant de nombreuses années, nous ouvrons désormais notre technologie GaN-on-Si exploitant des tranches de 8 pouces sur notre plateforme XG035 aux projets de prototypage général dans notre usine de Dresde, au cœur de la Silicon Saxony. La flexibilité de notre outil en technologie 350 nm nous permet également d’évoluer rapidement vers la production de série, offrant ainsi à nos clients une voie d’accès rapide et fiable au marché », souligne Michael Woittennek, Pdg de X-Fab Dresde.
A noter que X-Fab propose également à ses clients un kit de développement de produits (PDK, Process Design Kit) GaN-on-Si afin de simplifier le processus de conception de leurs produits, ainsi qu’un service MPW (Multi-Project Wafer) qui permettra à plusieurs clients de partager une même tranche GaN-on-Si pour la fabrication de leurs prototypes, afin d’abaisser les coûts de prototypage et de production en très petites séries. Le service MPW sera disponible à partir du quatrième trimestre 2025.
