Panasonic et UMC s’allient pour la production de masse de mémoires ReRAM
Le Japonais Panasonic Semiconductor Solutions est parvenu à un accord avec le fondeur taïwanais UMC pour le développement conjoint d’un procédé de production de masse d’une mémoire ReRAM 40 nm de nouvelle génération.
Tout comme la mémoire Flash dont l’utilisation est aujourd’hui largement répandue, la ReRAM est un type de mémoire non volatile. Ce composant est doté d’une structure simple, d’un traitement à haute vitesse et nécessite une faible consommation énergétique. Panasonic a débuté la production de la ReRAM en 2013 en recourant à un procédé 180 nm, et fournit actuellement sa gamme de micro-ordinateurs 8 bits MN101LR destinée aux applications à faible consommation énergétique, notamment dans le domaine des appareils médicaux portables. La société a été la première à tester et à vérifier la haute fiabilité des matrices mémoire en technologie 40 nm.
Le projet en commun doit permettre l’intégration des technologies ReRAM 40 nm, développées par Panasonic Semiconductor, avec les technologies CMOS à haute fiabilité d’UMC. Le procédé ainsi développé doit permettre de produire en volume des mémoires ReRAM, aptes à remplacer les mémoires Flash dans diverses applications (cartes à puces, produits wearables, terminaux IoT).
Panasonic compte livrer en 2018 des échantillons de produits recourant au nouveau procédé de fabrication 40 nm, et être le premier à débuter une production de masse dans le secteur. Les deux partenaires proposeront la plateforme ReRAM co-développée aux autres fabricants et fournisseurs de semiconducteurs à travers le monde.
