Samsung Electronics double la vitesse de stockage avec la première eUFS 3.0 de 512 Go du marché
Samsung Electronics annonce le lancement de la production en série de la première eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.0 de 512 Go (gigaoctets) du marché destinée à la prochaine génération d’appareils mobiles et prévoit de lancer une version de 1 To (téraoctet) au second semestre de cette année.
Basée sur la V-NAND de cinquième génération de la société, la nouvelle mémoire satisfait aux toutes dernières spécifications UFS (Universal Flash Storage) en étant 20 fois plus rapide qu’une carte microSD courante.
Conforme à la toute dernière spécification eUFS 3.0, la nouvelle mémoire de Samsung offre une vitesse double de celle de la précédente mémoire de stockage (eUFS 2.1).
Samsung a produit la première interface UFS du marché avec l’eUFS 2.0 en janvier 2015. Elle était alors 1,4 fois plus rapide que la norme de mémoire mobile de cette époque, appelée eMMC (embedded multi-media card) 5.1. En seulement quatre ans, la nouvelle eUFS 3.0 de la société a égalé les performances des blocs-notes électroniques ultra-minces actuels.
L’eUFS 3.0 de 512 Go de Samsung empile huit matrices V-NAND de 512 Gbits de cinquième génération de la société et intègre un contrôleur haute performance. Avec 2 100 Mo/s, la nouvelle eUFS double la vitesse de lecture séquentielle de la toute dernière mémoire eUFS (eUFS 2.1) de Samsung qui a été lancée en janvier. La vitesse de lecture de la nouvelle solution est 4 fois plus élevée que celle d’un disque SSD (Solid State Drive) SATA et 20 plus élevée que celle d’une carte microSD classique, ce qui permet aux téléphones intelligents haut de gamme de transférer un film Full HD vers un PC en environ trois secondes.
En outre, la vitesse d’écriture séquentielle a également été augmentée de 50%, elle est portée à 410 Mo/s, ce qui équivaut à celle d’un disque SSD SATA.
Les vitesses de lecture et d’écriture aléatoires de la nouvelle mémoire sont supérieures de 36% à la spécification eUFS 2.1 actuelle, avec respectivement 63 000 et 68 000 IOPS (opérations d’entrées-sorties par seconde). Avec des vitesses de lecture et d’écriture aléatoires supérieures de plus de 630 fois aux cartes microSD courantes (100 IOPS), un certain nombre d’applications complexes peuvent être exécutées simultanément avec encore plus de réactivité, notamment sur les appareils mobiles de dernière génération.
Après les modèles de 128 Go et eUFS 3.0 de 512 Go lancés ce mois-ci, Samsung prévoit d’ajouter des modèles de 1 To et de 256 Go au second semestre de cette année pour compléter la gamme d’eUFS 3.0.
