Samsung commence à livrer des mémoires eMRAM en technologie FD-SOI 28 nm
Samsung Electronics annonce le lancement de la production en grande série de sa première mémoire eMRAM (embedded magnetic random access memory ou mémoire à accès aléatoire magnétique intégrée) basée sur une technologie de gravure FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator) 28 nm, appelée 28FDS.
Le fonctionnement basé sur le stockage de charge est à l’origine des problèmes d’évolutivité de l’eFlash. Le fonctionnement de l’eMRAM, basé sur la résistance permet une forte évolutivité tout en possédant des caractéristiques techniques comme la non-volatilité, l’accès aléatoire et une forte endurance. C’est donc une mémoire prometteuse pour l’avenir. Avec cette annonce, Samsung a prouvé sa capacité à surmonter les obstacles techniques et a démontré la possibilité d’une plus grande évolutivité de la technologie de mémoire intégrée gravée à 28 nm et au-delà.
La solution eMRAM basée sur la technologie 28FDS de Samsung offre des avantages en termes de puissance et de vitesse à moindre coût. Comme l’eMRAM ne nécessite pas de cycle d’effacement avant l’écriture des données, sa vitesse d’écriture est environ mille fois plus rapide que celle de l’eFlash. De plus, l’eMRAM fonctionne avec des tensions plus faibles que l’eFlash et ne consomme pas d’énergie électrique lorsqu’elle est en mode hors tension, ce qui lui confère une grande efficacité énergétique.
En outre, comme un module eMRAM peut être inséré dans la partie finale de la gravure en ajoutant un minimum de couches, il dépend moins du début de la gravure et peut être facilement intégré dans des technologies logiques existantes, telles que les transistors FET, FinFET et FD-SOI. Avec ce concept de module plug-in, les clients peuvent réutiliser l’infrastructure de conception existante même avec cette nouvelle technologie ajoutée, l’eMRAM, tout en réduisant les coûts.
En se combinant avec la 28FD-SOI pour un meilleur contrôle des transistors et en minimisant le courant de fuite grâce au contrôle des polarisations de structure, la solution eMRAM de Samsung offrira des avantages différenciés pour de nombreuses applications, notamment les microcontrôleurs, l’Internet des objets et l’intelligence artificielle.
« Nous sommes très fiers d’avoir réussi à offrir la technologie de mémoire non volatile intégrée (eNVM) après avoir surmonté les défis complexes des nouveaux matériaux », a déclaré Ryan Lee, vice-président du marketing fonderie chez Samsung Electronics. « En intégrant l’eMRAM aux technologies logiques éprouvées existantes, Samsung Foundry continue d’élargir son portefeuille de technologies de gravure eNVM pour se positionner face à la concurrence et offrir une excellente fabricabilité pour répondre aux besoins des clients et du marché ».
Samsung prévoit d’étendre ses options pour les solutions eNVM haute densité. Une puce de test eMRAM de 1 Gb sera notamment dévoilée cette année.
