Magnachip dédie son dernier Mosfet MXT 40 V aux systèmes de récupération d’énergie dans l’automobile
Encapsulé en boîtier PDFN56, 80 % plus compact qu’un boîtier DPAK, le dernier né des Mosfet MXT 40 V du Coréen affiche une Rds(on) particulièrement basse afin d’optimiser l’efficacité des systèmes de récupération d’énergie automobiles
Exploitant une technologie issue de la Formule Un, les systèmes de récupération d’énergie automobiles stockent l’énergie cinétique d’un véhicule pendant le freinage, puis utilisent l’énergie récupérée pour alimenter des équipements tels que la climatisation ou les systèmes audio, à des fins de réduction de la consommation de carburant et des émissions, ou d’amélioration de l’autonomie d’un véhicule électrique.
© Magnachip
Spécialiste des circuits analogiques et mixtes, le Coréen Magnachip vient de compléter sa gamme de Mosfet MXT (Magnachip eXtreme Trench), qui comprend des modèles de 12 V à 200 V, avec une déclinaison 40 V spécifiquement optimisée pour les systèmes de récupération d’énergie dans l’automobile.
D’ores et déjà produit en volume et adopté par un constructeur automobile mondial (Magnachip n’en a toutefois pas précisé le nom), ce Mosfet référencé AMDU040N014VRH est encapsulé en boîtier PDFN56, 80 % plus compact qu’un boîtier DPAK, et se distingue par une résistance drain-source à l’état passant, Rds(on), particulièrement basse de seulement 1,4 mΩ afin de limiter les pertes et ainsi d’optimiser l’efficacité de la récupération d’énergie cinétique.
Qualifié AEC-Q101, le Mosfet de Magnachip est garanti pour supporter une température de jonction jusqu’à 175°C.
