Nexperia lance des Mosfet 100 V miniatures à faible Rds(on) pour l’automobile

Ces Mosfet en boîtier de 12 x 12 mm, qui présentent de faible pertes de conduction, ciblent essentiellement les applications automobiles en 48 V.

Alors que le 48V est de plus en présent dans l’automobile par rapport au 12 V, à la faveur du succès actuel des véhicules hybrides, il est souvent nécessaire d’utiliser plusieurs Mosfet en parallèle afin de répondre à ces nouvelles exigences. Une approche qui à l’inconvénient d’augmenter le nombre de composants et l’espace carte requis.

Grâce à leur faible résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) et à leur densité de puissance améliorée, les Mosfet 100 V en boîtier CCPAK1212 compact de 12 x 12 mm que vient de commercialiser Nexperia réduisent le recours aux Mosfet connectés en parallèle et permettent de gagner jusqu’à 40% d’espace sur le circuit imprimé par rapport aux solutions traditionnelles en boîtier TOLL ou TOLT, selon le fabricant.

© Nexperia

Ces composants qualifiés AEC-Q101 se caractérisent par de faibles pertes de conduction grâce à une Rds(on) de seulement 0,99 mΩ, par une résistance thermique jonction-boîtier de 0,1 K/W et par un courant de sûreté de 460 A, ce qui les rend aptes aux applications automobiles 48 V thermiquement exigeantes, notamment les chargeurs embarqués (OBC), les onduleurs de traction et les systèmes de gestion de la batterie (BMS). Ils trouveront également leur place dans les deux-roues électriques, les convertisseurs DC-DC et les modules industriels à courant élevé, où l’efficacité et la fiabilité thermique sont tout aussi essentielles.

Ces Mosfet sont disponibles dans des versions refroidies par le haut (boîtier CCPAK1212i) ou par le bas (boitier CCPAK1212).