Rohm double la densité de puissance des transistors SiC grâce à un boîtier 2-en-1
Capable de remplacer deux transistors discrets utilisés dans une configuration en demi-pont ou en source commune dans les étages de conversion d’énergie, le dernier module SiC du Japonais réunit, dans un seul et même boîtier moulé, deux transistors SiC en boîtier TO-247 agencés de telle sorte que la densité de puissance soit plus que doublée par rapport à la configuration usuelle.
Les idées les plus simples (sur le papier) sont parfois les meilleures. A l’image de celle de Rohm qui lance des modules SiC (carbure de silicium) réunissant dans un seul et même boîtier moulé « deux-en-un » baptisé DOT-247, deux transistors SiC en boîtier TO-247 configurés selon un montage en demi-pont ou en source commune, selon les versions.
© Rohm
Cette structure combinée, composée de deux boîtiers TO-247, est adaptée aux étages de conversion d’énergie – qui exploitent souvent les transistors de puissance par paires – afin de réduire le nombre de composants, de gagner de l’espace sur la carte et ainsi d’accroître la densité de puissance par rapport à l’utilisation de deux transistors individuels distincts en boîtier TO-247. Rohm estime à 2,3 le gain obtenu en termes de densité de puissance avec son module en boîtier DOT-247 en configuration demi-pont (0,381 W/mm³ au lieu de 0,166 W/mm³).
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Qui plus est, grâce à une structure interne qualifiée d’unique et à une structure de boîtier optimisée, les modules de Rohm se caractérisent également par une faible résistance drain-source à l’état passant (Rds(on) comprise entre 4 à 11 mΩ selon les versions), une résistance thermique réduite d’environ 15% et une inductance abaissé de moitié par rapport à un boîtier TO-247.
Disponibles en versions 750 V ou 1200 V, les modules SiC en boîtier DOT-247 du Japonais, référencés SCZ40xxDTx et SCZ40xxKTx, sont d’ores et déjà produits en volume. Des versions automobiles, conformes au standard automobile AEC-Q101, seront échantillonnées à partir du mois prochain.
