Rohm annonce la disponibilité de diodes à barrière de Schottky (SBD) 200 V à IR ultra-bas optimisées pour les applications automobiles, y compris les groupes motopropulseurs et les xEV. La RBxx8BM/NS200 s’étend sur la gamme RBxx8 de SBD, permettant un fonctionnement à hautes températures qui a déjà fait ses preuves sur le marché automobile au Japon.

Cette nouvelle série offre des caractéristiques de courant de fuite ultra-bas (IR) pour réaliser une tension de tenue élevée de 200 V. Le remplacement de diodes à récupération rapide (FRD) et de diodes redresseuses typiquement utilisées dans les nouveaux SBD de ROHM permet d’améliorer significativement (11% plus bas que les FRD conventionnelles) les caractéristiques de tension directe (VF). Cela réduit les pertes de puissance et permet de concevoir des boîtiers plus petits en réduisant la production de chaleur, ce qui contribue à de meilleures économies d’espace.

Ces dernières années, la tendance technologique dans les systèmes d’entraînements pour les hybrides de type 48 V est l’intégration mécanique, dans laquelle le moteur et les circuits périphériques sont combinés dans un module unique. Cela demande des SBD à efficacité élevée et à haute tension capables d’un fonctionnement stable à hautes températures. Dans le même temps, des SBD à tension plus élevée sont nécessaires dans les systèmes utilisant des composants conventionnels 150 V pour augmenter la fonctionnalité et la fiabilité.

Rohm a proposé la gamme RBxx8 de SBD à IR ultra-bas résistant jusqu’à une tension de 150 V, compatible avec des environnements automobiles à haute température. Cette dernière série ajoute des modèles de 200 V pour être à la hauteur des nouvelles exigences automobiles. L’ajout de ces huit nouveaux modèles 200 V amène à 212 le nombre total de produits dans la gamme RBxx8.

Fabricant : Rohm Semiconductor

Référence : RBxx8BM/NS200