EPC annonce un FET GaN 100 V avec la plus faible résistance à l’état passant du marché

Le transistor à effet de champ référencé EPC2361 est présenté par le Californien comme le FET GaN 100 V doté de la plus faible résistance drain-source à l’état passant du marché, avec seulement 1 mΩ.

Spécialiste des transistors en arséniure de gallium (GaN), le Californien EPC (Efficient Power Conversion) a récemment dévoilé ce qu’il considère comme le seul transistor à effet de champ (FET) 100 V du marché en technologie GaN à offrir une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) typique de seulement 1 mΩ. Ce composant référencé EPC2361 supporte un courant de drain jusqu’à 101 A en continu (à 25°C) et 519 A en mode impulsionnel (à 25°C et pour une durée d’impulsion de 300 µs).

©EPC (Efficient Power Conversion)

Encapsulé dans un boîtier QFN compact de seulement de 3 x 5 mm, il affiche ainsi une densité de puissance plus élevée (multipliée par deux par rapport aux produits EPC de génération précédente) pour la conversion DC-DC, la charge rapide, les systèmes d’entraînement et les régulateurs de charge solaires MPPT (Maximum Power Point Tracking). Le produit Rds(on) x surface de seulement 15 mΩ.mm² de l’EPC2361 est notamment cinq fois inférieur à celui d’un Mosfet 100 V silicium comparable.

Autant de caractéristiques qui procurent à l’EPC2361 des avantages importants par rapport à ses équivalents en silicium en termes de densité de puissance et de rendement dans les systèmes de conversion de puissance, en particulier la rectification synchrone AC-DC des blocs d’alimentation haute puissance, la conversion DC-DC haute fréquence pour les centres de données, les systèmes entraînements pour l’e-mobilité, la robotique, les drones et les MPPT solaires.

« Notre nouveau GaN FET de 1 mΩ continue de repousser les limites de ce qui est possible avec la technologie GaN, afin que nos clients puissent créer des systèmes électroniques de puissance plus efficaces, plus compacts et plus fiables », assure Alex Lidow, Pdg et co-fondateur d’EPC.

La commercialisation de l’EPC2361 s’accompagne du lancement d’une carte de développement référencée EPC90156 de seulement 50,8 x 50,8 mm, conçue pour des performances de commutation optimales et dotée de tous les composants critiques pour une évaluation des performances du FET d’EPC. L’EPC2361 est disponible au prix de 4,6 dollars l’unité par quantité de 3000 pièces. Pour la carte de développement, il faut compter 200 dollars.