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EPC lance un convertisseur élévateur de tension 12V/48V de 500 W à base de GaN

EPC lance un convertisseur élévateur de tension 12V/48V de 500 W à base de GaN

L’Américain combine ses transistors FET eGaN avec un contrôleur 80 V de Renesas avec pilote GaN intégré, pour la mise en œuvre d’une carte de conversion 12V/48V délivrant jusqu’à 500 W.

EPC (Efficient Power Conversion) a dévoilé, sous la forme d’une carte de démonstration, un convertisseur élévateur de tension 12 V / 48 V capable de délivrer une puissance frôlant les 500 W (480 W exactement) sans dissipateur de chaleur. Pour parvenir à ce niveau de densité de puissance, la carte EPC9166 du Californien associe ses transistors FET 100 V en nitrure de gallium (technologie baptisée eGaN chez EPC) de la série EPC2218 avec le contrôleur 80 V de Renesas référencé ISL81807.

Le FET eGaN EPC2218 est présenté comme le FET 100 V le plus petit et le plus efficace du marché avec une taille trois fois inférieure à celle d’un Mosfet malgré une résistance à l’état passant équivalente. Quant à l’ISL81807, il s’agit, selon Renesas, du premier contrôleur synchrone 80 V de l’industrie avec pilote GaN intégré, prenant en charge des fréquences allant jusqu’à 2 MHz. Ce composant exploite un contrôle en mode courant et génère, au choix, deux sorties indépendantes ou une sortie avec deux phases entrelacées. Il prend en charge le partage de courant, la synchronisation pour mettre en parallèle plus de contrôleurs / plus de phases, une efficacité de charge légère améliorée et un faible courant d’arrêt. L’ISL81807 pilote directement les FET eGaN EPC2218, garantissant une conception aisée, un faible nombre de composants et un coût réduit, selon EPC.

Ce faisant, la carte de conversion EPC9166 présente un rendement supérieur à 96,5 % dans une conversion d’entrée 12 V en sortie régulée 48 V, avec une fréquence de commutation culminant à 500 kHz. A noter que la sortie peut aussi être configurée pour une tension régulée de 36V, 48 V ou 60 V.

« En combinant les avantages du contrôleur avancé de Renesas avec les performances de nos FET eGaN, nous pouvons fournir à nos clients une solution à faible nombre de composants qui améliore le rendement et la densité de puissance, tout en réduisant le coût du système », se réjouit Alex Lidow, p-dg d’EPC.

Pour sa part, Andrew Cowell, vice-président de la division « Mobility, Industrial and Infrastructure Power » de Renesas précise que « l’ISL81807 réduit le coût de la nomenclature pour les solutions GaN car il ne nécessite pas de microcontrôleur, d’amplificateur opérationnel de détection de courant ou de pilote externe. Il est également entièrement protégé et intègre les pilotes GaN. Avec l’ISL81807, concevoir avec des FET GaN est aussi simple que de concevoir avec des FET à base de silicium. »

Ciblant les centres de données, l’informatique et les applications automobiles, la carte EPC9166 d’EPC est disponible au prix de 300 dollars chez Digi-Key.

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