Infineon fait un point sur l’évolution du GaN de puissance
Porté par une montée en puissance des capacités de production initiée en 2025 et par l’innovation incessante des acteurs du secteur, Infineon s’attend à ce que le GaN de puissance gagne de nouvelles applications dans les années à venir. Le marché pourrait ainsi quintupler d’ici à 2030.
Dans son rapport annuel « GaN Insights », Infineon Technologies fait un point sur l’évolution du marché du nitrure de gallium dans l’électronique de puissance. Se référant à de récentes analyses de sociétés d’étude de marchés telles que Yole Group et TrendForce, l’Allemand s’attend à ce que le marché mondial des semiconducteurs de puissance à base de GaN frôle la barre des 3 milliards de dollars d’ici 2030, soit une valeur cinq fois plus importante que celle de 2025.
Cette forte croissance est, selon Infineon, alimentée par une augmentation importante des capacités de production, amorcée en 2025, qui a permis une adoption plus large du GaN dans de nombreux secteurs et de nouvelles applications. Si bien qu’entre 2025 et 2030, ce marché devrait croître selon un taux de croissance annuel composé de 44%. Rien qu’en 2026, il devrait bondir de 58% par rapport à 2025, pour s’établir à 920 millions de dollars.
Infineon a récemment lancé l’échantillonnage de tranches GaN de 300 mm de diamètre – © Infineon Technologies
Au-delà de la montée en puissance des capacités de production, Infineon met également en avant les capacités d’innovation des acteurs du secteur. En 2026, le fabricant de semiconducteurs s’attend notamment à ce que les commutateurs bidirectionnels (BDS) GaN élargissent leur champ d’application au-delà des onduleurs solaires et des chargeurs embarqués pour véhicules électriques.
Infineon évoque notamment l’innovation de ses commutateurs bidirectionnels haute tension, dont la conception à drain commun avec une structure à double grille, tire parti de la technologie éprouvée des transistors à injection de grille (GIT). Selon lui, cette architecture permet d’utiliser la même zone de dérive pour bloquer les tensions dans les deux sens, ce qui réduit de manière significative la taille de la puce par rapport aux configurations back-to-back classiques. Grâce à sa technologie BDS CoolGaN fonctionnant jusqu’à 1 MHz, Infineon affirme que les micro-onduleurs solaires sont aptes à fournir 40% de puissance supplémentaire dans un encombrement identique, tout en réduisant les coûts du système.
Au niveau des nouvelles applications couvertes par le GaN de puissance, Infineon fonde de grands espoirs sur les centres de données d’IA, la robotique, les véhicules électriques, les énergies renouvelables et des domaines émergents tels que la santé numérique et l’informatique quantique.
Sur le marché des centres de données, les alimentations à base de GaN atteignent des rendements et des densités de puissance que le groupe allemand juge inégalés, grâce à leurs nouvelles topologies. Il serait possible de réduire les pertes d’énergie jusqu’à 30% et ainsi de déployer des architectures de centres de données plus efficaces et compactes qu’aujourd’hui.
Au niveau de la robotique, il serait envisageable de concevoir des variateurs de vitesse à base de GaN 40% plus compacts, tout en offrant un contrôle plus précis des mouvements, dans le cas d’une utilisation dans les robots humanoïdes.
Rappelons qu’en matière de solutions de puissance à base de GaN, Infineon, qui a récemment lancé l’échantillonnage de tranches de 300 mm de diamètre dans son usine autrichienne de Villach, dispose d’un portefeuille d’une cinquantaine de produits GaN couvrant des tensions de 40 V à 700 V et destinés aux applications grand public, industrielles et automobiles.
