IQE et X-Fab unissent leurs forces dans les semiconducteurs GaN de puissance
Les deux partenaires vont développer une plateforme de fabrication de semiconducteurs de puissance en technologie GaN basée en Europe et dédiée aux exigences des applications automobiles, de centres de données et grand public.
IQE, entreprise britannique spécialisée dans les tranches épitaxiées et les matériaux avancés pour l’industrie des semiconducteurs, et X-Fab, fondeur européen de composants analogiques et mixtes, vont développer conjointement une plateforme de fabrication de semiconducteurs de puissance exploitant la technologie GaN (nitrure de gallium), basée en Europe.
Alors que IQE et X-Fab collaborent depuis deux ans pour développer des semiconducteurs GaN 650 V, l’accord combinera l’expertise d’IQE en matière de conception et de procédé d’épitaxie GaN et les capacités de développement et de fabrication de X-Fab, pour fournir une solution GaN de puissance répondant aux exigences des applications automobiles, de centres de données et grand public.
© X-Fab / IQE
Cette plateforme GaN fournira aux entreprises de semiconducteurs fabless une solution prête à l’emploi leur permettant d’accélérer les cycles d’innovation et les délais de mise sur le marché. Elle servira également de base au développement de produits GaN fonctionnant au-delà des 650 V afin de répondre à la demande croissante du marché en matière d’électronique de puissance.
« Nous sommes ravis d’unir nos forces à celles de X-Fab pour développer en Europe une solution de fonderie GaN de puissance de classe mondiale qui s’appuiera sur notre expertise en épitaxie GaN et nos récents investissements en réacteurs GaN pour accroître notre capacité », se félicité Jutta Meier, directrice générale par intérim et directrice financière d’IQE.
« En plus de notre technologie GaN existante, cette plateforme clé en main unique offre une alternative intéressante aux modèles de chaîne d’approvisionnement existants et renforce la position de l’Europe dans la technologie des semiconducteurs de puissance de nouvelle génération », assure, de son côté, Jörg Doblaski, directeur technique de X-Fab.
