Le CEA Leti s’associe au Japonais Rapidus pour les futures générations de semiconducteurs
L’organisme de R&D français et la start-up japonaise qui vise la production de semiconducteurs à partir d’un procédé 2 nm dès 2027, veulent s’engager sur une coopération à long terme.
En marge de la 17è édition des Leti Innovation Days Tokyo, le CEA Leti a signé un accord avec le Leading Edge Semiconductor Technology Center (LSTC), une plateforme regroupant des universités et organismes clés de recherche japonais dans le domaine du semiconducteur, notamment l’Université de Tokyo et l’Institut Riken. Bras armé de la start-up japonaise Rapidus en matière de R&D, cette plateforme, ainsi que l’accord signé avec le CEA Leti, visent le développement d’une nouvelle génération de semiconducteurs.
© CEA Leti
Rappelons que Rapidus, largement soutenue par le gouvernement japonais, travaille actuellement avec IBM et l’Imec sur le développement d’un procédé de fabrication de semiconducteurs à partir d’un nœud de gravure de 2 nm. La société a d’ailleurs débuté en septembre dernier, à Chitose (île d’Hokkaido, nord du Japon), la construction d’une usine en technologie 2 nm avec un démarrage de la ligne pilote prévu en avril 2025 et de la production de volume en 2027.
Si l’accord que viennent de signer le CEA Leti et le LSTC porte sur une durée de seulement un an, les deux partenaires souhaitent s’engager dans une collaboration à long terme dans les différents domaines des semiconducteurs avancés, y compris les matériaux, les dispositifs, les procédés et la technologie. L’objectif étant de renforcer davantage la collaboration mondiale dans l’industrie des semiconducteurs au cours de la prochaine décennie et de définir des feuilles de route communes en matière de R&D sur le long terme. On parle notamment des prochaines générations de semiconducteurs qui seraient fabriqués à partir de nœuds de gravure de 1 nm ou 1,4 nm à l’horizon 2030, selon notre confrère le Nikkei.
