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MOSFET Canal-N 40V à faible résistance à l’état passant pour l’automobile

MOSFET Canal-N 40V à faible résistance à l’état passant pour l’automobile

Toshiba Electronics Europe étend sa famille de MOSFET de puissance pour l’automobile avec un nouveau dispositif Canal-N 40V en boîtier TO-220SM(W) à faible résistance à l’état passant (RDS(ON)). Le TKR74F04PB répond à plusieurs applications automobiles haute-puissance, comme les convertisseurs DC-DC, les directions EPS (Electric Power Steering, ou direction à assistance électrique) ou les commutateurs de charge.

Toshiba-110416Le TKR74F04PB présenterait la plus faible RDS(on) du marché des boîtiers CMS 3 broches pour l’automobile. Sa faible RDS(ON) (0,6 milliohm typique, 0,74 milliohm maxi) a pu être obtenue en associant le processus « Trench » Toshiba de 9e génération, « U-MOS IX », et le boîtier Toshiba, TO-220SM(W). Le TO-220SM(W) est doté d’une broche Source plus large et plus courte que les boîtiers D2PAK (TO-263) conventionnels, et contribue à réduire la taille des cartes grâce à son empreinte plus petite.

Fabricant : Toshiba

Référence : TKR74F04PB

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