Partenariat Infineon/Rohm : l’accord qui pourrait changer la donne dans l’industrie du SiC
L’Allemand et le Japonais viennent de signer un protocole d’accord qui prévoit que chaque partenaire pourra exploiter les technologies de boîtier de l’autre afin que les deux groupes puissent développer et commercialiser des composants de puissance SiC compatibles et interchangeables.
Déjà bien implantés sur le créneau des semiconducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC), Infineon et Rohm viennent de marquer un grand coup face à la concurrence en signant, ce jour, un protocole d’accord portant sur la conception de boîtiers pour semiconducteurs de puissance SiC utilisés dans des applications telles que les chargeurs embarqués, le photovoltaïque, les systèmes de stockage d’énergie et les centres de données d’IA.
L’accord prévoit en effet que chaque partenaire pourra exploiter les technologies de boîtier de l’autre afin que les deux groupes puissent développer et commercialiser des composants de puissance SiC compatibles et interchangeables. De quoi offrir à leurs clients respectifs une meilleure flexibilité en termes de conception et d’approvisionnement, puisqu’il leur sera aisé de basculer entre les produits Infineon et Rohm, chacun agissant en seconde source de l’autre.
© Infineon Technologies / Rohm
« Notre collaboration offrira aux clients un plus large éventail d’options et une plus grande flexibilité dans leurs processus de conception et d’approvisionnement, leur permettant ainsi de développer plus facilement des applications plus économes en énergie et de contribuer ainsi à la décarbonation », souligne Peter Wawer, président de la division Green Industrial Power chez Infineon.
« Rohm s’est toujours engagé à fournir à ses clients les meilleures solutions possibles et notre collaboration avec Infineon constitue une étape importante vers la réalisation de cet objectif, car elle élargit notre portefeuille de solutions », indique, pour sa part, Kazuhide Ino, membre du conseil d’administration, directeur général et responsable de l’activité Power Devices de Rohm.
Concrètement, Rohm adoptera la plateforme innovante de refroidissement par le haut d’Infineon pour SiC, incluant les boîtiers TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK dual et H-DPAK. Cette plateforme se caractérise notamment par une hauteur standardisée de 2,3 mm pour tous les boîtiers, ce qui simplifie la conception et réduit les coûts de refroidissement du système, tout en permettant une meilleure utilisation de l’espace sur la carte et une densité de puissance jusqu’à deux fois supérieure., selon Infineon.
Parallèlement, Infineon s’appuiera sur le boîtier DOT-247 de Rohm avec une configuration en demi-pont pour développer un boîtier compatible. Cela permettra d’élargir la gamme d’IGBT Double TO-247 récemment annoncée par Infineon aux solutions SiC en demi-pont. Le boîtier « deux-en-un » DOT-247 de Rohm offre une densité de puissance supérieure et réduit l’effort d’assemblage par rapport aux boîtiers discrets standard. Grâce à sa structure unique intégrant deux boîtiers TO-247, il permet de réduire la résistance thermique d’environ 15% et l’inductance de 50 % par rapport au boîtier TO-247. Ces avantages se traduisent par une densité de puissance 2,3 fois supérieure à celle du TO-247, selon Rohm.
Cet accord entre Infineon et Rohm constitue la première d’une coopération plus vaste puisque les deux sociétés envisagent d’étendre leur collaboration à d’autres types de boîtiers intégrant des semiconducteurs de puissance en SiC, mais aussi en silicium et en nitrure de gallium (GaN).
