Renesas améliore les performances de ses Mosfet 100 V
Un nouveau procédé mis en œuvre par le Japonais lui permet de réduire de 30% la résistance à l’état passant de ses Mosfet 100 V et d’abaisser jusqu’à 40% les charges de grille.
Renesas Electronics a mis au point un nouveau procédé de fabrication, nommé REXFET-1, qui lui permet d’améliorer de manière significative les performances de commutation de ses Mosfet moyenne tension. Premiers modèles à bénéficier du procédé REXFET-1, les Mosfet 100 V canal N référencés RBA300N10EANS et RBA300N10EHPF offrent ainsi une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) réduite de 30% par rapport aux modèles précédents du Japonais. A cela s’ajoute une baisse de 10% de la charge de grille (Qg) et de 40% de la charge grille-à-drain (Qgd).
Qui plus est, Renesas loge ces nouveaux Mosfet dans des boîtiers TOLL et TOLG standard, deux fois plus compacts que les boîtiers TO-263 traditionnels, et dotés de flancs mouillables (wettable flanks) pour l’inspection optique.
Conçus pour la commande de moteur, les systèmes de gestion de batteries ou les alimentations, ces composants trouveront leur place dans les véhicules électriques, les vélos électriques, les stations de recharge, les outils électriques et les centres de données.
D’ores et déjà disponibles en volumes, ils peuvent également être accompagnés d’une conception de référence avec note d’application pour aider les clients à accélérer les cycles de conception de leurs produits.
