Rohm débute la production de transistors HEMT 650V en GaN
Développés conjointement avec Ancora Semiconductors, une filiale de Delta Electronics, ces HEMT sont optimisés pour une large gamme de systèmes d’alimentation et de moteurs électriques.
Il y a un an, presque jour pour jour, le fabricant japonais de semiconducteurs Rohm et le producteur taïwanais de solutions de gestion thermique et de puissance Delta Electronics concluaient un partenariat stratégique visant à développer et produire en série des solutions d’alimentation faisant appel à des composants GaN (nitrure de gallium).
© Rohm
Aujourd’hui, le fruit de cette coopération se concrétise avec le lancement par Rohm de la production de volume de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) 650 V développés conjointement avec Ancora Semiconductors, une filiale de Delta Electronics créée en juillet 2022 et dédiée au développement d’appareils en technologie GaN.
Pour l’heure disponibles en deux modèles référencés GNP1070TC-Z et GNP1150TCA-Z avec des courants drain-source respectifs de 20 A et 11 A, ces composants, qui viennent compléter la famille EcoGaN de Rohm, sont optimisés pour une large gamme de systèmes d’alimentation et de moteurs électriques qui représentent la majeure partie de la consommation mondiale d’électricité et sont devenus, selon Rohm, un obstacle important à la réalisation d’une société décarbonée.
Encapsulés dans des boîtiers de 8 x 8 x 0,9 mm, les HEMT de Rohm et Ancora fournissent des performances à la pointe de l’industrie en termes de facteur de mérite Rds(on) × Ciss / Rds(on) × Coss, ce qui se traduit par une plus grande efficacité des alimentations électriques. Les modèles GNP1070TC-Z et GNP1150TCA-Z affichent une Rds(on) de 70 mΩ pour les premiers et de 150 mΩ pour les seconds, ainsi que des charges de grille respectives de 5,2 nC et 2,7 nC.
Qui plus est, ils sont équipés d’un élément de protection intégré permettant de résister à des décharges électrostatiques jusqu’à 3,5 kV, pour une meilleure fiabilité de l’application. Les caractéristiques de commutation à grande vitesse des HEMT en GaN favorisent également une miniaturisation accrue des composants périphériques.
