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Samsung Foundry prévoit une technologie 2 nm en production pour 2025

Samsung Foundry prévoit une technologie 2 nm en production pour 2025

Lors de son 5e Samsung Foundry Forum (SFF) qui se tiendra en novembre 2021, Samsung Electronics dévoilera ses plans de migration vers les technologies production 3 nm et 2nm sur la base de la structure de transistors Gate-All-Around (GAA) de l’entreprise.

« Nous augmenterons notre capacité de production globale et dirigerons les technologies les plus avancées », a déclaré le Dr Siyoung Choi, président et chef des activités de fonderie chez Samsung Electronics.

Le premier nœud de processus GAA 3 nm de Samsung utilisant la technologie Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), permettra une diminution de la surface jusqu’à 35%, des performances 30% plus élevées ou une consommation d’énergie 50% inférieure par rapport au processus 5 nm. Le rendement de la technologie 3 nm du Coréen approche un niveau similaire à celui du processus de 4 nm. Samsung devrait commencer à produire les premières conceptions de puces 3 nm de ses clients au cours du premier semestre 2022, tandis que sa deuxième génération de 3 nm est attendue en 2023.

Nouvellement ajouté à la feuille de route technologique de Samsung, le nœud de processus 2 nm avec MBCFET est au début de son stade de développement avec une production de masse prévue pour la seconde moitié de 2025.

Samsung Foundry continue par ailleurs d’améliorer sa technologie de processus FinFET pour prendre en charge des produits spécialisés. Le nœud de processus FinFET 17 nm de l’entreprise en est un exemple. En plus des avantages intrinsèques offerts par FinFET, le nœud de processus présente des performances et une efficacité énergétique s’appuyant sur une architecture à transistors 3D. Par conséquent, le FinFET 17 nm de Samsung offre jusqu’à 43% de réduction de la surface, 39% de performances supérieures ou une augmentation de 49% de l’efficacité énergétique par rapport au processus 28 nm.

De plus, Samsung fait progresser son processus 14 nm afin de prendre en charge la MRAM intégrée (eMRAM) haute tension ou flash de 3,3 V, ce qui permet une vitesse et une densité d’écriture accrues. La plate-forme de radiofréquence (RF) 8 nm de Samsung s’adresse notamment aux semi-conducteurs 5G des applications inférieures à 6 GHz aux applications millimétriques.

Avec pour thème « Adding One More Dimension », l’événement virtuel de plusieurs jours devrait attirer plus de 2000 clients et partenaires mondiaux.

 

 

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