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Samsung lance la production en série d’une DRAM sept fois plus rapide

Samsung lance la production en série d’une DRAM sept fois plus rapide

Samsung Electronics a annoncé aujourd’hui le début de la production en série de la première mémoire DRAM de 4 Go, basée sur une interface mémoire à large bande passante de la deuxième génération (HBM2). Elle est destinée au calcul haute performance (HPC), aux systèmes graphiques et de réseaux évolués, ainsi qu’aux serveurs d’entreprise. Avec cette première DRAM HBM2 de 4 Go, la transmission des données va sept fois plus vite que celle de la DRAM antérieure la plus rapide, ce qui permet une réactivité accrue pour les tâches de calcul haute performance, notamment le traitement parallèle, le rendu graphique et l’apprentissage automatique.

Samsung-190116La DRAM HBM2 de 4 Go, qui utilise la technologie 20 nm et la conception avancée HBM de Samsung, répond aux besoins de hautes performances, d’efficacité énergétique, de fiabilité et d’encombrement réduit ; elle convient donc idéalement aux systèmes de calcul haute performance (HPC) et aux cartes graphiques.

Suite au lancement en octobre dernier par Samsung d’un module de mémoire RDIMM de 128 Go DDR4 basé sur la technologie TSV 3D, la nouvelle DRAM HBM2 constitue le dernier jalon de la technologie DRAM TSV (Through Silicon Via).

Le boîtier HBM2 de 4 Go est obtenu en empilant quatre puces de 8 gigabits sur une matrice buffer. Elles sont alors interconnectées verticalement par des vias TSV et des microbilles. Une seule matrice HBM2 de 8 Gb comprend plus de 5000 orifices TSV, c’est plus de 36 fois le nombre de trous d’une matrice DDR4 TSV de 8 Gb, ce qui accroît considérablement la vitesse de transmission des données par rapport aux boîtiers microcâblés par fils conventionnels.

Le nouveau boîtier DRAM de Samsung offre une bande passante de 256 Go/s, le double d’un boîtier DRAM HBM1. C’est l’équivalent de plus de sept fois la bande passante de 36 Go/s d’une puce DRAM GDDR5 de 4 Gb qui jusqu’ici détenait la plus grande vitesse de données par broche (9 Gbit/s) de toutes les puces DRAM. Le boîtier HBM2 4 Go de Samsung offre également une meilleure efficacité énergétique, sa bande passante par watt est deux fois plus élevée que celle des solutions basées sur GDDR5 4 Gb ; il intègre également un code de correction d’erreurs (ECC) pour assurer une grande fiabilité.

Samsung prévoit aussi de produire un boîtier DRAM HBM2 de 8 Go au courant de l’année. En spécifiant la DRAM HBM2 de 8 Go dans les cartes graphiques, les concepteurs économiseront plus de 95% d’espace par rapport à la DRAM GDDR5, ce qui permettra d’optimiser les solutions pour les appareils compacts qui exigent des capacités de calcul graphique de haut niveau.

Fabricant : Samsung

Référence : DRAM HBM2

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