Samsung et TSMC rivalisent en technologies de fonderie avancées
Samsung Electronics annonce avoir ajouté la technologie de gravure FinFET 11 nm (11LPP, Low Power Plus) à ses procédés de fonderie avancés. De son côté, TSMC a mis au point avec ARM, Xilinx et Cadence un circuit test pour son procédé FinFET 7 nm qui doit entrer en production en 2018.
Grâce à une miniaturisation plus poussée, le 11LPP de Samsung offre des performances supérieures de 15% avec la même consommation d’énergie et une réduction de 10% de la surface de puce par rapport au procédé initial 14LPP en technologie 14 nm. Ce nouveau process doit être prêt pour la production au premier semestre 2018.
Samsung a également confirmé que le développement du 7LPP avec la technologie de lithographie EUV (ultraviolet extrême) se déroule selon les prévisions, la production initiale étant prévue pour le deuxième semestre 2018.
Depuis 2014, Samsung a traité près de 200 000 tranches de silicium avec la technologie de lithographie EUV. Avec cette technologie, il a récemment pu atteindre un rendement de 80% pour la fabrication d’une SRAM de 256 mégabits.
« Le procédé 11 nm a été ajouté à notre feuille de route pour offrir des options avancées à diverses applications », a déclaré Ryan Lee, vice-président et directeur du marketing fonderie chez Samsung Electronics. « La feuille de route de Samsung est ainsi complète pour les trois années à venir en s’étendant de 14 nm à 11 nm, 10 nm, 8 nm et 7 nm ».
Procédé TSMC FinFET 7 nm pour un circuit CCIX
De son côté, TSMC n’est pas en reste et a mis au point avec ARM, Xilinx et Cadence un circuit test pour son procédé FinFET 7 nm qui doit entrer en production en 2018. Ce circuit appelé CCIX (pour Cache Coherent Interconnect for Accelerators) est destiné aux centres de données pour des applications complexes de type analyse des données du Big Data, apprentissage machine, 4G/5G, analyse vidéo, etc. Il associe des processeurs multicœurs ARM, des sous-systèmes d’entrées/sorties et mémoires fournis par Cadence et des FPGA de Xilinx. Après la réalisation de prototypes sur silicium au 1er trimestre 2018, la disponibilité des circuits CCIX est prévue pour la deuxième moitié de 2018.
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