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SK Hynix investit près de 4 Md$ dans une usine d’encapsulation de mémoires HBM aux États-Unis

SK Hynix investit près de 4 Md$ dans une usine d’encapsulation de mémoires HBM aux États-Unis

Le Coréen a choisi West Lafayette, dans l’Indiana, pour construire une usine d’encapsulation de mémoires HBM dernière génération dédiées aux applications d’IA, dans laquelle il va investir 3,87 milliards de dollars.

Le Coréen SK Hynix a annoncé hier son intention d’investir 3,87 milliards de dollars pour construire une usine d’encapsulation de mémoires HBM (High Bandwidth Memory) à West Lafayette, dans l’Indiana. Une cérémonie a été organisée pour l’occasion en présence de responsables de l’État de l’Indiana, de l’université de Purdue et de représentants du gouvernement américain. SK Hynix prévoit d’y débuter la production au second semestre 2028 et d’y créer, à terme, plus d’un millier d’emplois.

Le Coréen compte ainsi asseoir sa position sur le marché des mémoires HBM, sur lequel il est en concurrence avec Samsung et Micron, avec cette usine qui produira en volume ces mémoires essentielles au bon fonctionnement des unités de traitement graphique utilisées dans les systèmes d’IA. Rappelons que les mémoires HDM interconnectent verticalement plusieurs puces Dram et augmentent considérablement la vitesse de traitement des données par rapport aux mémoires Dram conventionnelles. Les mémoires HBM4 sont la sixième et dernière génération en date de ce type de mémoires, après les HBM, HBM2, HBM2E, HBM3 et HBM3E qui sont disponibles sur le marché. SK Hynix a d’ailleurs récemment affirmé être le premier à produire en volume des mémoires HBM3E, bien que Samsung et Micron soient également sur les rangs.

© SK Hynix

« Nous sommes ravis de devenir les premiers du secteur à construire aux États-Unis une usine d’encapsulation avancée pour les produits d’IA, qui contribuera à renforcer la résilience de la chaîne d’approvisionnement et à développer un écosystème local de semiconducteurs, s’est félicité Kwak Noh-Jung, Pdg de SK Hynix. Avec cette nouvelle installation, nous espérons faire progresser notre objectif consistant à fournir des mémoires dédiées à l’IA dotées de capacités inégalées, afin de répondre aux besoins de nos clients. »

Le Coréen collabore également avec l’Université de Purdue, le Birck Nanotechnology Center et d’autres instituts de recherche concernant des projets de R&D qui comprennent notamment des innovations en matière d’encapsulation et d’intégration hétérogène de puces mémoires. Le développement de programmes de formation et de programmes d’études interdisciplinaires figure également au programme de SK Hynix, en coopération avec l’Université de Purdue et l’Ivy Tech Community College, afin de former une main-d’œuvre de haute technicité et de constituer un vivier fiable de nouveaux talents.

Par ailleurs, SK Hynix a confirmé ses investissements nationaux, notamment sur son site Yongin Semiconductor Cluster, pour lequel le groupe déboursera 120 000 milliards de wons (82 milliards d’euros) pour construire plusieurs usines. Le chantier débutera en mars 2025 avec la construction d’une première usine qui devrait être achevée en début d’année 2027. La construction d’une mini-usine est également prévue. Elle sera dotée d’équipements pour le traitement de tranches de 300 mm, afin de tester différents matériaux semiconducteurs, composants et équipements.

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