Soitec développe une filière SiC sur tranches de 200 mm avec l’IME de Singapour

L’Institut de Microélectronique de Singapour (IME – Institute of MicroElectronics), une entité de l’Agence pour la science, la technologie et la recherche (A*STAR), et Soitec ont annoncé un partenariat de recherche pour développer la prochaine génération de dispositifs semiconducteurs en carbure de silicium (SiC), destinés à alimenter les véhicules électriques et les appareils électroniques à haute tension.

L’IME a déjà un accord de coopération du même type avec STMicroelectronics (voir notre article).

Dans le cadre de la collaboration avec Soitec, les partenaires s’appuieront sur les technologies brevetées du Français telle que Smart Cut et sur la ligne de production pilote de l’IME pour fabriquer des substrats SiC de 200 mm de diamètre.

Le programme de recherche commun doit contribuer au développement d’un écosystème complet autour du SiC et encourager la création de capacités de production de semi-conducteurs à Singapour et dans l’ensemble de la région. Cette collaboration en matière de recherche est prévue jusqu’à mi-2024.

Elle vise à développer l’épitaxie du SiC et les procédés de fabrication de transistors à effet de champ à grille isolée (MOSFET) pour des substrats SiC Smart Cut afin de produire des transistors de puces électroniques de plus grande qualité avec moins d’imperfections et un rendement amélioré pendant la phase de fabrication. Les deux partenaires veulent également établir un standard de référence pour les transistors MOFSET de puissance en carbure de silicium fabriqués sur des substrats SiC Smart Cut et démontrer les avantages de ce procédé par rapport aux substrats conventionnels.

L’IME de l’A*STAR a des compétences en intégration hétérogène, systèmes en boîtier, capteurs, actionneurs électroniques et microsystèmes, radiofréquence et ondes millimétriques, électronique de puissance à base de carbure de silicium et nitrure de galium sur carbure de silicium, ainsi qu’en technologies médicales. La ligne pilote de tranches de 200 mm en carbure de silicium qu’il met en place a pour but de valider les procédés et outils de fabrication en 200 mm à l’échelle d’une ligne pilote avant qu’un transfert puisse être effectué vers une production de tranches de 200 mm en grand volume. Ce programme a également comme seconde ambition de réaliser de la R&D appliquée sur des procédés innovants MOSFET sur SiC et des matériaux tels que les substrats Smart Cut SiC de Soitec pour préparer l’ensemble du secteur à la fabrication de la prochaine génération de semiconducteurs en carbure de silicium.