ST et Innoscience unissent leurs forces en composants GaN de puissance
Le groupe franco-italien et la société chinoise spécialiste de la technologie GaN sur silicium vont non seulement développer ensemble la prochaine génération de semiconducteurs de puissance à base de GaN, mais également exploiter conjointement leurs outils de production dédiés.
STMicroelectronics et Innoscience, société chinoise spécialisée dans la technologie du nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) à partir de tranches de 8 pouces (200 mm), ont annoncé hier la signature d’un accord sur le développement conjoint et la fabrication de semiconducteurs de puissance en technologie GaN. L’objectif est ici de tirer parti des atouts de chaque entreprise pour améliorer les solutions de puissance à base de GaN à destination des centres de données, des alimentations industrielles, de la production et du stockage des énergies renouvelables et des groupes motopropulseurs de véhicules électriques de prochaine génération.
En outre, l’accord permettra à Innoscience d’utiliser la capacité de production de puces GaN de ST en Europe, tandis que ST fera de même avec les usines de semiconducteurs GaN-on-Si d’Innoscience en Chine pour fabriquer ses propres tranches de GaN. Cela afin que chaque entreprise puisse élargir son offre individuelle en solutions GaN de puissance avec une chaîne d’approvisionnement plus flexible et résiliente, et ainsi mieux répondre aux exigences des clients dans une large gamme d’applications.
« ST et Innoscience sont tous deux des fabricants de dispositifs intégrés, et avec cet accord, nous exploiterons ce modèle au bénéfice de nos clients du monde entier, souligne Marco Cassis, président de la division “Analog, Power & Discrete, Mems and Sensors” de STMicroelectronics. Premièrement, ST accélérera sa feuille de route en solutions de puissance à base de GaN, qui viendront compléter notre offre en technologie silicium et carbure de silicium. Deuxièmement, ST sera en mesure de tirer parti d’un modèle de fabrication flexible pour servir ses clients dans le monde entier. »
« Innoscience a été le pionnier de la production en série de la technologie GaN sur silicium en wafers de 8 pouces et a expédié plus d’un milliard de composants GaN sur de multiples marchés. La collaboration conjointe entre ST et Innoscience permettra d’étendre et d’accélérer l’adoption de la technologie GaN », assure, pour sa part, Weiwei Luo, président et fondateur d’Innoscience.
Rappelons qu’Innoscience affronte en justice l’Allemand Infineon depuis un an et l’Américain EPC (Efficient Power Conversion) depuis deux ans dans des affaires de violation présumée de brevets relatifs aux composants de puissance en nitrure de gallium.
