Encapsulé en boîtier PDFN56, 80 % plus compact qu’un boîtier DPAK, le dernier né des Mosfet MXT 40 V du Coréen affiche une Rds(on) particulièrement basse afin d’optimiser l’efficacité des systèmes de récupération d’énergie automobiles
Parmi les neufs modèles de Mosfet 600 V à diode de recouvrement rapide que vient de lancer le Coréen, celui référencé MMQ60R044RFTH affiche une Rds(on) de seulement 44 mΩ.
Dédiée au contrôle des moteurs des véhicules électriques légers et aux alimentions industrielles, la troisième génération de Mosfet 200 V signée Magnachip Semiconductor présente des performances améliorées par rapport aux modèles de précédente génération, notamment en termes de facteur de mérite.
Le Coréen a augmenté de 30% la densité de puissance de ses IGBT 650 V dédiés aux applications photovoltaïques, par rapport aux modèles de précédente génération.
Un nouveau procédé de fabrication permet aux Mosfet à super-jonction (SJ Mosfet) de 600 V du Coréen de réduire leurs pertes de commutation de 10% par rapport à la génération précédente.
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