
Magnachip abaisse de 10% la résistance à l’état passant de ses Mosfet 600 V
Parmi les neufs modèles de Mosfet 600 V à diode de recouvrement rapide que vient de lancer le Coréen, celui référencé MMQ60R044RFTH affiche une Rds(on) de seulement 44 mΩ.
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4 Mai 2023 | AUTOMOBILE, COMPOSANT, INDUSTRIEL, SEMICONDUCTEUR, TECHNO, TELECOMS
Parmi les neufs modèles de Mosfet 600 V à diode de recouvrement rapide que vient de lancer le Coréen, celui référencé MMQ60R044RFTH affiche une Rds(on) de seulement 44 mΩ.
8 Sep 2022 | PRODUIT
Dédiée au contrôle des moteurs des véhicules électriques légers et aux alimentions industrielles, la troisième génération de Mosfet 200 V signée Magnachip Semiconductor présente des performances améliorées par rapport aux modèles de précédente génération, notamment en termes de facteur de mérite.
Le Coréen a augmenté de 30% la densité de puissance de ses IGBT 650 V dédiés aux applications photovoltaïques, par rapport aux modèles de précédente génération.
18 Jan 2022 | AUTOMOBILE, COMPOSANT, GRAND PUBLIC, INDUSTRIEL, TECHNO
Un nouveau procédé de fabrication permet aux Mosfet à super-jonction (SJ Mosfet) de 600 V du Coréen de réduire leurs pertes de commutation de 10% par rapport à la génération précédente.
10 Jan 2022 | AUTOMOBILE, COMPOSANT, TECHNO
Basés sur un procédé 40 nm, les contrôleurs d’écrans Oled du Coréen devraient être livrés aux constructeurs automobiles européens premium d’ici un an.
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