Magnachip abaisse de 10% la résistance à l’état passant de ses Mosfet 600 V
Parmi les neufs modèles de Mosfet 600 V à diode de recouvrement rapide que vient de lancer le Coréen, celui référencé MMQ60R044RFTH affiche une Rds(on) de seulement 44 mΩ.
Étiquette : Magnachip
Mosfet 200V pour véhicules électriques légers et alimentations industrielles
Dédiée au contrôle des moteurs des véhicules électriques légers et aux alimentions industrielles, la troisième génération de Mosfet 200 V signée Magnachip Semiconductor présente des performances améliorées par rapport aux modèles de précédente génération, notamment en termes de facteur de mérite.
Magnachip dévoile un IGBT 650V optimisé pour le photovoltaïque
Le Coréen a augmenté de 30% la densité de puissance de ses IGBT 650 V dédiés aux applications photovoltaïques, par rapport aux modèles de précédente génération.
Les transistors Mosfet haute tension de Magnachip montent en gamme
Un nouveau procédé de fabrication permet aux Mosfet à super-jonction (SJ Mosfet) de 600 V du Coréen de réduire leurs pertes de commutation de 10% par rapport à la génération précédente.
Magnachip se lance dans les contrôleurs d’écrans Oled dédiés à l’automobile
Basés sur un procédé 40 nm, les contrôleurs d’écrans Oled du Coréen devraient être livrés aux constructeurs automobiles européens premium d’ici un an.
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