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Étiquette : Rohm Semiconductor

Diodes à barrière Schottky à temps de recouvrement inverse amélioré

Pour pallier les limites des modèles à structure Trench-MOS classique, Rohm Semiconductor a développé la série YQ de diodes à barrière Schottky utilisant une structure Trench-MOS propriétaire. Elle réduit la tension directe (VF) et le courant direct (IR), d’où une perte de puissance plus faible en cas d’utilisation dans des applications de polarisation directe, tout en réduisant le risque d’emballement thermique.

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