Rohm va tripler sa capacité de production de substrats SiC en Allemagne
SiCrystal, filiale du Japonais basée à Nuremberg, lance les travaux d’une nouvelle usine qui lui permettra de tripler sa capacité de production de substrats SiC d’ici 2027.
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5 Juil 2024 | - ÉCO -, EUROPE, SEMICONDUCTEUR, STRATÉGIE
SiCrystal, filiale du Japonais basée à Nuremberg, lance les travaux d’une nouvelle usine qui lui permettra de tripler sa capacité de production de substrats SiC d’ici 2027.
L’extension de l’accord pluriannuel existant porte sur la fourniture par SiCrystal, une filiale de Rohm, de volumes plus importants de substrats SiC en tranches 150 mm, pour une valeur minimale de 230 millions de dollars.
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