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Étiquette : transistor FET

Transistors GaN 150 V compacts à faible résistance à l’état passant

Offrant une empreinte sur le circuit imprimé compacte et identique à celle des modèles 100 V EPC2302 (1,8 mΩ) et EPC2306 (3,8 mΩ), les transistors Fet de 150 V en nitrure de gallium (GaN) d’EPC référencés EPC2308 affichent une résistance drain-source à l’état passant aussi faible que 4,9 mΩ.

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